IPTC015N10NM5

IPTC015N10NM5 属于采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET系列： 采用 TO-Leaded 顶部冷却封装，热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征，使英飞凌的 100 V 产品成为同类产品中的佼佼者，而且可以为高功率密度设计提供大于 300 A 的高额定电流。

通过顶部冷却，漏极会暴露在封装表面，这样 95% 的热量就可以直接通过散热片散热，与 TOLL 封装相比，RthJA 提高了 20%，RthJC 提高了 50%。而采用底部冷却的封装类型，如 TOLL 或 D2PAK，热量则需要通过 PCB 经散热器散热，从而会导致高功率损耗。

采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于 电动工具, 轻型电动车 和 电池管理系统。

• 电动工具
• 轻型电动车
• 电池管理系统