OptiMOS™ 5 150V

英飞凌新型 MOSFET 功率 OptiMOS™5 150 V 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R_DS(on)（与采用SuperSO8 封装的替代品相比高达 25％）和 Q_rr，而不影响 FOM_gd 和 FOM_OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中， Q_rr最低值 = 26 nC）提高了换流坚固性。 

 借助OptiMO™ 5 150 V 技术，尺寸较小的、同类中较为出色的SuperSO8 (PQFN 5x6) 封装设备能够取代TO-220器件。由于封装电感降低，该开关器件实现了更高的功率密度和更低的电压超调 (V_DS)。 

英飞凌MOSFET 功率 OptiMOS™5 150 V 配有六个封装，不仅展现出较低的输出电荷和较高的开关频率，而且具有超低的反向恢复电荷 (Q_rr)。因此，该器件减少了对并联的需求，使终端产品更加坚固，从而降低了整体系统成本。