OptiMOS™ 5 and IR MOSFET™ 60 V-150 V Logic Level

英飞凌采用 PQFN 3.3x3.3 和 SuperSO8 封装的逻辑电平 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 以及采用 PQFN 2x2 的 IR MOSFET™ 器件可提供 60 V 至 150 V 的宽电压范围，非常适合无线充电、适配器和电信应用 。

该器件的低栅极电荷 (Qg) 可降低开关损耗的同时，不会影响传导损耗。 改进的品质因数允许在高开关频率下运行。 此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (VGS(th))，允许 MOSFET 在 5V 电压下直接由微控制器驱动。

• Wireless charging
• Adapter
• Telecom