OptiMOS™ 6 40V
综述
英飞凌首款新一代尖端MOSFET 逻辑电平系列产品现已上市
产品
亮点
导通电阻(RDS(on))和品质因数(FOM - RDS(on)x Qg和Qgd)的改善使设计人员能够提高效率,简化热设计,减少并联,进而降低系统成本。
英飞凌市场领先的OptiMOS™6 功率MOSFET 40V备有两种不同的封装:
- SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范围从5.9 mΩ降至0.7 mΩ
- PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范围从6.3 mΩ降至1.8 mΩ
OptiMOS™6 40V 结合了同类最佳的RDS(on)以及优越的开关性能
在SMPS应用中,OptiMOS™6是完美的选择,在各种输出功率范围内优化效率,可避免在低负载和高负载条件之间进行艰难的权衡。
在低输出功率范围内,主要损耗来自于开关损耗。由于其优越的开关性能,与相同的RDS(on) OptiMOS™5相比,OptiMOS™6 功率MOSFET BSC010N04LS6 在此范围 内实现了更高的效率。
此外,在更高的输出功率下,RDS(on)损耗越来越占主导,OptiMOS™6可以保持优势,在整个工作范围内提供更好的性能。
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