OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V
综述
制定新的行业标准
英飞凌全新 200 V MOSFET 系列采用最新的 OptiMOS™ 6 MOSFET 沟槽技术，可实现高功率密度、效率和耐用性。
与之前的技术相比，OptiMOS™ 6 具有显着的性能优势：
- 低传导损耗
- 低开关损耗
- 改善 EMI
- 需要更少的并联
- 并联时更好的电流共享
- 符合 RoHS 标准，无铅
新型 OptiMOS™ 6 200 V MOSFET 代表了最先进的沟槽 MOSFET 技术。 它通过提供以下功能满足对高功率密度、高效率和高可靠性的需求：
- 与上一代产品相比，室温下 RDS(on) 降低 42%，175°C 下 RDS(on) 降低多达 53%
- 由于降低了 Qrr，提高了开关性能，并提高了电容线性度
- 实际上 - 传导损耗和开关损耗都可以降低，而不会影响 EMI
- 该技术具有改进的 SOA，可提高保护开关应用中的 MOSFET 电流处理能力，同时设计优化和生产精度使可靠、高性能的技术成为并联的理想选择
OptiMOS™ 6 200 V MOSFET 沟槽技术专为在电动踏板车、微型电动汽车、电动叉车等电机驱动应用中实现最佳性能而设计。
该技术的特点是显着降低 RDS(on)，从而降低传导损耗。 窄栅极阈值电压范围和降低的跨导使 OptiMOS™ 6 200 V 成为出色的并联器件。 结合软二极管行为和低反向恢复电荷，除了输出电容的线性度改进之外，OptiMOS™ 6 200 V 还可提供最低的开关损耗，从而提高所有工作条件下的系统效率。
改进的开关行为可降低 EMI 并降低开关损耗。 对于任何类型的开关应用，例如服务器、电信、储能系统 或太阳能，这都会提高效率和功率密度。
最后，宽 SOA 和低 RDS(on) 的结合使该器件非常适合 BMS 等静态开关应用。
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