OptiMOS™ Fast Diode 200V/220/250V/300V

OptiMOS™ 快速二极管 (FD) 是英飞凌在200 V、220 V、250 V 和300 V 下新一代的功率 MOSFET ，该设备针对体二极管硬换相进行了优化。该设备改进了硬换相强度，因此可以在要求较高的 dV/dt、di/dt 和电流密度的条件下使用，进而设计过程也得到了简化。

这一优势使得 OptiMOS™ FD 成为电信 、 工业电源、D类音频放大器、电机控制 和DC-AC逆变器等硬开关应用的理想选择。OptiMOS™ FD 系列为追求高性能标准的客户提供了反向恢复电荷 (Q_rr)优化解决方案。相比 OptiMOS™ 3，OptiMOS™ FD 200 V、220 V、250 V 和 300 V 可实现40％的 Q_rr降低。

低Q_rr通过显着降低电压过冲来提高系统可靠性，较大限度减少对缓冲电路的需求，从而降低工程成本和工作量。此外，SuperSO8 中的 OptiMOS™ FD 还可以将温度增加至 175°C ，因此可以支持更高的功率密度设计和稳健性。