OptiMOS™ Linear FET
综述
集低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA) 于一体
使用英飞凌的 OptiMOS™线性场效应晶体管,无需在导通电阻(RDS(on))和线性模式性能(在增强型 MOSFET 的饱和区工作)之间进行权衡。OptiMOS™线性场效应晶体管的革新性的方法提供了沟槽 MOSFET 最先进的 RDS(on) ,以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。
OptiMOS™ 线性场效应晶体管 MOSFET 可通过限制高浪涌电流来防止负载损坏。该产品是电信、服务器和电池管理系统 (BMS) 中常见的热插拔、电子保险丝(电子保险丝)和电池保护功能的完美选择。采用 PQFN 3.3x3.3 封装的新型 100 V 线性 FET 还适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动。
OptiMOS™ 线性场效应晶体管可提供60V、80 V、100 V、150 V 和 200 V的电压等级,D²PAK、D²PAK-7pin、TO-Leadless (TOLL)、SuperSO8 (5x6) 和 PQFN 3.3x3.3的封装类型,可降低传导损耗、加快设置速度并缩短中断时间。
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