Power Block模块
双MOSFET解决方案，实现卓越的功率密度
功率模块封装概念包括将控制和同步MOSFET集成在封装中。这样就可以取代半桥配置中的Q1/Q2 FET，通常使用两个分立式MOSFET解决方案和单个封装，以实现卓越的功率密度、极低的寄生效应和更高的效率。它们可用于所有需要半桥配置的应用，如驱动器、SMPS 等
OpOptiMOS™ 6 40 V & OptiMOS™ 5 100 V 对称电源模块（类似RDS（on）的Q1和Q2）在紧凑的无引脚SMD 6.3x6.0 mm²封装中集成了低侧和高侧MOSFET，适用于各种应用（驱动器、SMPS）。通过更换两个独立的分立封装，例如：SuperSO8 （PQFN 5x6），客户可以将电路板上的电源部分缩小至少 50%。
高性能和高电流处理能力
MOSFET半桥系列采用英飞凌成熟的OptiMOS™ 5和6技术，具有极低的导通电阻（RDS（on））和更优的品质因数（Qg、Qgd）。
封装寄生电感的降低可提高开关性能和EMI，并降低整体BOM成本。
优化的引线框架和铜夹显著提高了封装的热性能。该封装的双侧冷却版本将功率吞吐量提高了 25%。
| 主要特点 | 主要优势 | 潜在应用 |
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OptiMOS™ 5 电源块是一种无引线 SMD 5.0x6.0 mm² 小尺寸封装，集成了低边侧和高边侧 MOSFET，针对同步整流降压转换器应用。 通过用节省空间的 MOSFET 封装替换两个独立的分立封装（例如 SO8 或 SuperSO8），OptiMOS™ 5 电源块 5x6 客户可以将其设计缩小至少 50%。 标准化电源封装对客户有利，因为市场上可用的不同封装外形的数量被最小化。
基准效率和高电流处理
MOSFET 半桥系列采用英飞凌经过验证的 OptiMOS™ 5 技术，可提供低导通电阻 (RDS(on)) 和品质因数 (Qg、Qgd)。 低边侧 MOSFET 的源极向下连接会形成一个大的 PGND 焊盘，从而显着改善与电路板的热结，从而简化布局并降低 EMI。 该解决方案使工程师能够通过提高开关频率和功率密度以及降低总体 BOM 成本来优化其设计。
| 主要特点 | 主要优势 | 潜在应用 |
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