PQFN 2x2
综述
采用 2x2 PQFN (DFN2020) 封装的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 低压功率 MOSFET
PQFN(功率四扁平无引线)2x2 产品组合是英飞凌功率 MOSFET 产品系列的一部分。2x2 mm²的超紧凑封装外形有助于在PCB上以最佳方式放置电子元件,尺寸规格及外形体积都扮演着关键角色。
英飞凌的 PQFN 2x2 产品组合包括市场领先的同类最佳功率 MOSFET,将最新的封装创新与尖端硅技术结合。OptiMOS™ 5 和 OptiMOS™ 6 具有出色的外形尺寸,减少功率损耗,这对高频操作尤为重要。
改进的封装设计采用加强型夹子,将封装寄生效应和热阻降至最低,在功率密度和效率方面为分立式功率 MOSFET 树立了新的技术基准,是符合工业应用标准的同类最佳功率 MOSFET。
PQFN 2x2 封装采用 P 沟道和 N 沟道 StrongIRFET™ 及 OptiMOS™ 功率 MOSFET 技术,为客户提供通用和高性能应用的优化解决方案。双器件、逻辑级和超逻辑级变体的出现为应用设计提供了更大的灵活性。
英飞凌的功率 MOSFET 采用 PQFN 2x2 封装,是工业和消费应用解决方案的完美选择:用于服务器和电信、便携式/无线充电器的开关模式电源 (SMPS) 中的负载开关、电池保护、同步整流,以及用于小型无刷电机(如无人机)的电动速度控制器。
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