PQFN 3.3x3.3
综述
采用PQFN 3.3 x 3.3封装的OptiMOS™和StrongIRFET™低压功率 MOSFET
PQFN(Power Quad Flat No-Lead)3.3 x 3.3 mm封装在紧凑的空间中提供了极高的效率性能。英飞凌通过将尖端的硅技术与不断改进的封装创新相结合,努力改善着客户的系统性能。该系列是同步整流、电信、服务器、便携式充电器和SMPS等应用中电源管理的理想选择。 该系列的小尺寸封装MOSFET是需要提升效率和功率密度的应用的理想选择。
该产品系列包含单管、双管、N管和P管,电压范围涵盖-30 V至250 V。还有PQFN 3.3x3.3熔融引脚和源极底置封装可选。另外一个特性选项是片内集成的肖特基类二极管,这是专门针对ORing和e-fuse MOSFET应用做出的优化。
PQFN 封装在StrongIRFET™和OptiMOS™ MOSFET中均有使用,为通用、高性能应用提供了优化解决方案。该产品系列还提供了灵活的栅极驱动选项,具有4.5V和2.5V两种栅极驱动能力。
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