Source-Down PQFN package
综述
OptiMOS™功率MOSFET源-降系列具有业界领先的RDS(on)、最佳FOM和卓越的散热性能--PQFN（功率四平无引线）
英飞凌的OptiMOS™低压和中压功率MOSFETs 采用创新和改进的PQFN封装，具有源极下降（Source-Down）配置，现已推向市场。Source-Down封装概念的主要特点是硅芯片的有源面朝向元件的底面。与硅芯片顶部漏极侧的强化夹子相结合，封装寄生效应大大降低，散热性能被推到了新的改进水平。
采用PQFN 3.3x3.3 mm² 和5x6 mm² Source-Down封装的OptiMOS™功率MOSFET 25 V-150 V现在有BSC（底部冷却）和DSC（双侧冷却）两种变体，有两种不同的基底：角栅极和中心栅极版本，后者为并行化做了明确优化。
Source-Down封装概念实现了单位面积最低的RDS(on)和出色的散热性能，为系统层面的改进提供了巨大的潜力，如降低BOM成本、通过减少主动冷却来方便散热管理、提高功率密度和效率。
采用PQFN 3.3x3.3 mm²和PQFN 5x6 mm² Source-Down封装的OptiMOS™低压和中压功率MOSFET系列是驱动器、太阳能、SMPS、电信和服务器应用的完美搭配。
主要特点
- 小型封装中的低RDS(on)
- 低栅极电荷
- 有标准和逻辑电平栅极驱动（4.5 V）可供选择
主要好处
- 减少电路板空间
- 减少开关和驱动损耗
- 闸门驱动的灵活性
关键特性
- 小型封装中的低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 可提供超级逻辑电平 (2.5 V) 和逻辑电平 (4.5 V)
主要优势
- 缩小板上空间
- 降低开关损耗和驱动器损耗
- 灵活的栅极驱动
关键特性：
- 小型封装中的低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 可提供超级逻辑电平 (2.5 V) 和逻辑电平 (4.5 V)
- 支持双面散热（外露铜夹片）
主要优势：
- 缩小板上空间
- 降低开关损耗和驱动器损耗
- 灵活的栅极驱动
- 与模压版本相比，散热能力更高
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