TO-Leadless

您是否需要很小的 MOSFET 处理 300 A？
创新型封装，占用空间减少 30%，同时消除电迁移，适用于高电流应用。

电动工具、轻型电动车辆和叉车等大电流应用经常导致 MOSFET 并行使用，从而增加电路板空间和成本—这种情况将不再存在。英飞凌的 TO-Leadless MOSFET 封装经过优化，可处理高达 300 A 的电流，在大幅减少占用空间的同时提高功率密度。与 D²PAK 相比，占用空间减少 30 %，高度减少 50 %，从而总空间节省 60% 的，设计将更加紧凑。

电迁移问题在高功率和高温应用中也是一个挑战。对此，T0-Leadless再度成为理想的分装解决方案。50% 的较大焊料接触面积可有效避免电迁移，从而提高可靠性。英飞凌现在为 OptiMOS™ 提供五种 TO-Leadless 电压等级，范围从 30V 到 150V。

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