TOLG (TO-Leaded with Gullwing) package

综述

TOLG 封装型（鸥翼式引脚 TO）OptiMOS™ 功率 MOSFET，提高板上热循环性能

该封装具备与无引脚 TO (TOLL) 相同的大电流、低高度特性。TOLG 封装规格兼容无引脚 TO 封装，其另配有鸥翼式引脚，热循环性能更优异。

相较于 D²PAK 7 引脚封装，TOLG 封装的占板面积缩小了 60%，电气性能出色。此封装 RDS(on) 极低，经优化可承受高于 300 A 的大电流。

得益于灵活的鸥翼式引脚，OptiMOS™ 系列 TOLG 封装型 MOSFET 在铝绝缘金属基板 (Al-IMS) 上呈现出优异的焊点可靠性。因此其板上热循环 (TCoB) 性能较标准要求 (IPC-9701) 高出 2 倍。
TOLG 封装的主要优势包括：高效率、低 EMI 和可实现高性能和高整体系统效率的高功率密度。

TOLG 封装型 OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列涵盖多种电压等级产品，包括 60 V、80 V、100 V、200 V 和 250 V。目标应用包括：电动脚踏车、(LEV) 轻型电动车、电动工具和电池管理系统应用。

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TOLG 封装 (HSOG-8)

Infineon 3D interactive board model battery protection board

This interactive 3D model showcases Infineon's bidirectional switching board for battery protection featuring OptiMOS™ power MOSFET in TOLG package. 

关键特性 主要优势 重要应用
  • 卓越技术
  • 大于 300 A 的高额定电流
  • 低铃振效应和低电压过冲
  • 相较于 D²PAK 7 引脚封装，占板面积减少 60%
  • 鸥翼式引脚
  • 高性能
  • 高系统可靠性
  • 高效率，低 EMI
  • 优化的电路板利用率
  • 出色的板上热循环性能
  
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