TOLT

综述

采用 TOLT 封装的 80 V ,100 V 和 150 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

TOLT — 顶部散热型带引脚 TO 封装，有效提高热性能

欲提升散热性能，采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 正是解决方案。

英飞凌 OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列高性能封装产品组合新增顶部散热型带引脚 TO (TOLT) 封装。TOLT 封装具有与 TOLL 封装相同的大电流、低高度优势，此外还采用顶部散热设计，可有效改善热性能。

该创新型封装既具备 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 技术的主要特性，可打造高质量 80 V, 100 V 和 150 V产品，还拥有大于 300 A 的高额定电流，适用于高功率密度设计。

TOLT 封装具备哪些优势？

依托顶部散热设计，漏极暴露在封装表面，因此可将 95% 的热量直接传导至散热片。相较于 TOLL 封装，TOLT 封装的 R_thJA 降低了 20%，R_thJC 改善近 50%。诸如 TOLL 或 D²PAK 等底部散热型封装，其热量均通过 PCB 传导至散热片，从而会导致功率损耗较高。

TOLT 封装型 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要面向需要更好热性能的应用，如电动脚踏车、LEV（轻型电动车）、电动工具和电池管理系统。

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关键特性	主要优势	重要应用
低 R_DS_（_on_）大于 300 A 的高额定电流顶部散热负引脚本体高差无锡散热焊盘	系统效率高，有助于延长电池寿命高功率密度出色的热性能节省散热系统最大限度降低至散热片的热阻	电动脚踏车轻型电动车电动工具电池管理系统