P-通道功率MOSFET-英飞凌infineon官网
可简化中低功率应用设计的 P 沟道功率 MOSFET
P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。
这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁，有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术，这通常可降低整体成本。
P沟道功率MOSFET产品
英飞凌提供各种P沟道功率MOSFET电压。请在下面浏览我们的产品。
英飞凌提供从-12 V到-250 V各种电压等级的P沟道功率MOSFET。P沟道增强型功率MOSFET为设计者提供了一种新的选择，可以在优化性能的同时简化电路设计，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P沟道MOSFET。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的-12 V P沟道MOSFET和-20 V P沟道MOSFET提供了行业标准的表贴功率封装，而-30 V P沟道MOSFET和-40 V P沟道MOSFET则经过优化，可从分销商合作伙伴处获得最广泛的供应支持。
P沟道功率MOSFET，包括P沟道MOSFET-12V系列，非常适用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动应用。P沟道MOSFET，如P沟道MOSFET-30V系列，通常用于消费电子产品，如笔记本、手提电脑、手机和PDA。
可用的封装包括D²PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。浏览我们的产品列表，找到高度创新的完整P沟道MOSFET产品清单，包括我们的 OptiMOS™产品系列，电压范围涵盖-12 V至-250 V。
点击下面的电压，浏览P沟道功率MOSFET。
P沟槽MOSFET
英飞凌的P沟道MOSFET系列产品具有设计灵活性和易操作性，可满足最高性能要求。
低压P沟道MOSFET
英飞凌有一系列的低压P沟道MOSFET，可以延长电池寿命，并提供出色的功率密度和小外形尺寸。
高压P沟道MOSFET
凭借广泛的P沟道MOSFET高压产品系列，英飞凌提供了高效率和易用性的完美结合。该产品系列包括大电流P沟道MOSFET，由于其出色的换向耐用性，非常适合硬开关和软开关应用（PFC和LLC）。
