用于工业应用的小信号MOSFET
综述
-60 V 至 -150 V 小信号 P 沟道 MOSFET 和 60 V 至 600 V 小信号 N 沟道 MOSFET
该系列器件面向工业应用,具有很高的稳健性,击穿电压 (VBRDSS ) 低至 -150 V(取决于产品)。所有器件都通过了 JEDEC 认证,简化了设计人员的审批流程,使设计能够更快地推向市场。
产品组合、主要功能、优势和应用
小信号 N 沟道 OptiMOS™ 器件采用 SOT-23 和 SOT-223 封装。该系列器件的电压范围为 60 V、100 V、250 V 和 600 V,R(DS)on 值低至 3000 mΩ (@VGS = 10 V)
该系列包括 OptiMOS™ 60 V、100 V 和 150 V P 沟道器件,采用 SOT-23 和 SOT-223 封装,R(DS)on 值低至 65 mΩ (@VGS = 10 V)
这些设备在现代技术应用中尤为重要,包括电池管理、负载开关和反极性保护。
特点 |
优势 |
小体积 |
节省空间的紧凑型设计 |
增强模式和耗尽模式选项 |
灵活的设计 |
高开关速度 |
提高系统效率 |
通过 JEDEC 认证 |
简化审批,快速上市 |
产品
支持