通用 LNA
通用 LNA
英飞凌的宽带 LNA 产品组合包括 BGA 器件,该器件是达林顿配置中的匹配、通用宽带 MMIC 驱动放大器。英飞凌 70 GHz B7HF 硅锗 (SiGe) 技术的卓越性能,加上减少的外部组件数量和易用性,使其成为高达 2.5 GHz 的各种射频应用的理想选择。
英飞凌的 BGB 器件系列是低功耗通用 MMIC 宽带 LNA 设计,集成了 ESD 保护功能,在极小的封装中实现了有源偏置。该器件拥有与分立晶体管一样的灵活性,为更小更薄的移动设备的设计提供了众多集成功能。在英飞凌领先的 SiGe 技术的支撑下,MMIC LNA 采用紧凑的低功率前端电路,显著提高移动射频前端的灵敏度。
欲了解英飞凌通用 LNA 系列产品的更多内容,包括宽带低噪放大器,请浏览产品表!
英飞凌的通用 LNA 产品组合包括 SiGe LNA 和宽带 LNA RTL-SDR 产品家族。英飞凌 SiGe LNA 系列产品针对各种电源电流进行了优化,并为 MMIC 驱动放大器和宽带 LNA 设计提供了低噪声系数 (NF) 和绝对稳定性。其优化的内部晶体管单元结构可在高频下实现一流的功率增益和噪声系数。
MMIC 驱动放大器
英飞凌提供了一系列采用达林顿配置的 MMIC 驱动放大器,这为射频设计人员提供了一个类似晶体管的单一封装。
宽带 LNA 设计
英飞凌采用宽带 LNA 设计,提供了一系列高性能 BFP 产品,这些产品采用了硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术,用于无线应用。
通用 LNA 可用于众多应用,例如移动设备、平板电脑和其他通信设备。
更轻更薄的智能手机
英飞凌的高性能 BGB 宽带低噪放大器采用极小封装。然而,宽带 LNA 的创新设计还包括众多集成特性和灵活性,可在不做任何妥协的情况下实现更小、更薄的移动设备设计。