Low Noise RF Transistors
综述
所有这些通用类低噪宽带放大器(LNA)均基于硅双极技术。得益于20 GHz转换频率fT,这些器件易于使用并且稳定性卓越,同时在性价比上颇具竞争力。这些器件拥有合适的击穿电压,能够良好地支持5 V电源电压,是CA TV、调谐器、FM和ISM频段等领域的理想之选。
请注意:
在这里提到的Gmax适用于1.8 GHz频率。噪声系数NFmin是在噪声匹配测试中的输入端测得,这些数值同样适用于低频环境。OIP3和OPI1dB数值是在50欧姆系统中测得的,可以通过选择合适的负载阻抗实现优化。
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