未来几年，全球能源需求预计将会飙升，与此同时，各国政府正在通过更具雄心的排放目标。转向绿色可再生能源是减排的重要一步，但在世界范围内的普及，则要取决于这类系统是否能做到更高效、更强大和更可靠。

英飞凌.XT技术提供了一个解决方案。这种先进的封装连接技术可以从芯片中汲取更多功率。借助我们独一无二的技术和先进的元件，就可以实现更高的功率密度和鲁棒性，同时延长系统的使用寿命。

.XT封装连接技术正在推动可再生能源转型。借助用于CoolSiC™ MOSFET分立式器件和IGBT模块的解决方案，.XT封装连接技术正在革新风能、光伏、电动汽车充电和工业驱动等应用，为更环保、更加可持续的未来铺路。

通过扩散焊接，获得更佳的性能和可靠性

CoolSiC™ MOSFET，具备面向分立式封装的.XT封装连接技术，采用英飞凌开发的、独特的扩散焊接工艺，可提升半导体的性能、可靠性和使用寿命，加快节能系统和清洁能源的采用。

.XT技术消除了标准焊接工艺的典型限制。英飞凌开创性地采用了扩散焊接工艺，在封装中实现了从芯片到散热器的可靠热连接。通过与CoolSiC™相结合，可将散热能力提高30%/将工作温度降低15K，可以使芯片的结壳热阻提高25%。另外，还可以实现更大的电流输出和更低的工作温度，这不仅提高了系统输出电流能力，还延长了器件的使用寿命。

实现绿色能源的可持续应用

这些特性为光伏、电动汽车快速充电基础设施、储能系统和电机驱动等应用提供了关键优势，在相同的外形尺寸下，提供了更高的性能。这进一步增强了碳化硅设计的优化潜力。

用于模块的.XT的特点是，改进了引线键合、通过烧结实现了可靠的芯片接合以及高度可靠的系统焊接。这些改进消除了典型的磨损机制，例如，在应用循环负载期间，键合线和焊接芯片连接出现的疲劳。

为了满足应用要求，诸如3.3 kV XHP™ 3 等高压模块现可支持超过5倍的功率循环鲁棒性。与标准连接技术相比，1.2 kV和1.7 kV PrimePACK™或XHP™ 2模块等低压模块甚至可在高出25 K的温度下，承受高出40倍的循环负载。这意味着即使在高达175°C的温度下，这些模块也支持这种更高的功率循环负载。

得益于这种更高的循环能力，.XT封装连接技术具有诸多优势。