宽禁带半导体的优势众多。例如，得益于基于宽禁带半导体电子器件的优势，更高的效率可实现更高的功率密度，同时还能减小尺寸和重量，从而降低整体系统成本。 

将宽禁带半导体器件用于功率电子器件，也有助于实现更高的工作开关频率。当以终极功率密度为目标时，这一点尤为重要。氮化镓宽禁带半导体具有较低的总栅极电荷和约 1.5V 的低电压阈值，即使在高频率下，栅极驱动功率也可以限制在毫瓦级。

与硅材料相比，碳化硅 (SiC) 具有 3 个电子伏特（eV）的宽禁带，以及更高的热导率。基于碳化硅的 MOSFET 最适合在高频率下工作的高击穿、高功率应用。与硅材料相比，碳化硅功率半导体器件的参数，如 R_DS(on) ，随温度增高的幅度较小。便于设计人员在宽禁带功率电子器件的设计中，在更小的裕度内或在更高的温度下工作，从而增加额外的性能。英飞凌 CoolSiC™ 解决方案以成熟、高质量的批量制造为基础，将革命性的技术与基准的可靠性相结合--为我们的客户在现在和未来的成功提供了保障。>了解更多

与碳化硅相比，氮化镓具有更高的禁带（3.4 电子伏特）以及更高的电子迁移率。与硅（Si）材料相比，击穿场高十倍，电子迁移率增加了一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅材料低十倍，而且反向恢复电荷几乎为零，这是高频操作的关键。氮化镓宽禁带半导体功率器件是现代谐振拓扑结构的首选技术，并且正在实现新方法，包括新的拓扑结构和电流调制。

英飞凌的氮化镓解决方案是基于市场上最稳健、性能最好的概念--增强模式 (e-mode) 概念，可提供快速的导通和关断速度。CoolGaN™ 氮化镓产品专注于高性能和稳健性，同时为许多宽禁带半导体应用的各种系统增添了重要价值，如服务器、电信通信、无线充电、适配器和充电器以及音频产品。CoolGaN™ 开关易于使用，便于设计，拥有英飞凌提供的单双通道、隔离和非隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 的广泛产品系列。 了解更多

EiceDRIVER™ 碳化硅 MOSFET 栅极驱动器 IC 非常适用于驱动碳化硅 MOSFET，尤其是我们的超快速开关 CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET。这些栅极驱动器集成了碳化硅驱动最为重要的关键特性和参数，如传播延迟精准匹配、精确的输入滤波器、宽范围的输出侧电源范围、负栅极电压能力、有源米勒钳位、退饱和 (DESAT) 和扩展的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 能力。>了解更多 

凭借其高质量和高效率的产品，英飞凌是开发强大创新半导体技术并将其推向市场的全球领导者。我们极其紧凑和高效的设计可提供最广泛的产品系列和技术组合，包括基于硅（Si）材料、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的器件，可为客户提供满足其独特应用要求的最佳解决方案。

氮化镓、碳化硅以及硅材料半导体之间存在诸多差异。首先，氮化镓半导体目前的目标电压范围为 80V 至 650V，在最高开关频率下提供中等功率。氮化镓和碳化硅半导体在最大功率密度下具有非常高的效率，同时开关损耗都比硅基半导体低。

氮化镓与碳化硅功率电子器件半导体之间的差异在于，与氮化镓相比，碳化硅功率半导体具有卓越的栅极氧化物可靠性、出色的易用性，而且非常坚固，采用的是垂直晶体管概念，而氮化镓采用的则是横向晶体管概念。

氮化镓和碳化硅为应用解决方案领域带来了不同的优势。然而，材料优势取决于其应用。例如，碳化硅在高温高压应用中表现优异，如大功率串式逆变器。就高温能力而言，较低的温度系数和高阻断电压能力最能满足应用需求。

在终极功率密度方面，氮化镓更胜一筹。这在结构体积非常有限的应用中尤其如此，例如数据中心的开关电源，因为在特定的空间内，功率水平会增加。这种情况下，效率和高开关频率的结合将应用推向了其他技术难以企及的新水平。