Infineon erweitert strahlungstolerantes Leistungs-MOSFET-Portfolio für die Raumfahrt mit erstem P-Kanal-Baustein

München, 5. März 2025 – Infineon Technologies hat seine Produktfamilie von strahlungstoleranten Leistungs-MOSFETs für Low-Earth-Orbit (LEO)-Raumfahrtanwendungen um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET erweitert. Die neuen Bauteile sind Teil des wachsenden Portfolios von Infineon, das für „NewSpace“-Anwendungen der nächsten Generation entwickelt wird. Es handelt sich um kostenoptimierte, strahlungstolerante MOSFETs, die es Entwicklern ermöglichen, Designs mit kleineren und leichteren Bauteilen schneller auf den Markt zu bringen. Die MOSFETs erfüllen darüber hinaus die Anforderungen bezüglich Strahlungsfestigkeit für Missionen von zwei bis fünf Jahren.

„Der erfolgreiche Einsatz von LEO-Satellitenkonstellationen der nächsten Generation und anderen weltraumtauglichen Systemen erfordert strahlungstolerante diskrete Bauteile und ICs mit Vorlaufzeiten und Produktionsmengen, die eine schnelle Einführung und Kostenoptimierung ermöglichen“, sagt Chris Opoczynski, Senior VP und General Manager, HiRel Business, Power and Sensor Systems Division, Infineon. „Infineon nutzt seine 50-jährige Erfahrung in der Raumfahrt, um ein branchenweit einmaliges Portfolio an effizienten und zuverlässigen Leistungsbauteilen für diesen dynamischen Geschäftsbereich anzubieten.“

Der neue 60 V P-Kanal-MOSFET ergänzt die bereits erhältlichen 60 V- und 150 V N-Kanal-Bauteile. Diese werden in Kunststoffgehäusen angeboten, die kostengünstiger sind als herkömmliche bei strahlungsbeständigen Bauteilen verwendeten hermetischen Gehäuse, und die mit Standardherstellungsverfahren in größeren Mengen produziert werden können. Die strahlungstoleranten Bauteile sind für Weltraumanwendungen gemäß den einschlägigen Tests der Norm AEC-Q101 qualifiziert. Zusätzliche Gehäusetests wie Ausgasungs- und Salzatmosphärentests sind Teil der Qualifizierung. Sie sind für Single Event Effects (SEE) bis 46 MeV∙cm²/mg LET und eine Total Ionizing Dose (TID) von 30 bis 50 krad (Si) ausgelegt. Die Betriebstemperatur liegt, abhängig vom Produkttyp, zwischen -55 °C und 175 °C (maximal).

Modernste Technologien, wie die patentierte CoolMOS™-Superjunction-Technologie, die für die N-Kanal-MOSFETs verwendet wird, ermöglichen den Feldeffekttransistoren (FETs) von Infineon schnelle Schaltfunktionen im Vergleich zu alternativen Lösungen.

Verfügbarkeit

Infineon bietet eine breit gefächerte Produktpalette an, die den unterschiedlichsten Anforderungen gerecht wird. Infineon bietet vier verschiedene N-Kanal-MOSFETs an, die jeweils für bestimmte Aufgaben optimiert sind. Entwickler können zwischen zwei Spannungsversionen – 60 V und 150 V – sowie dem 60-V-P-Kanal wählen und so flexibel unterschiedliche Leistungsanforderungen erfüllen.

Infineon entwickelt aktiv Gate-Treiber und GaN-HEMTs im Rahmen der Erweiterung der strahlungstoleranten Produktreihe. Dieses umfassende Angebot an strahlungstoleranten Bauteilen wird Weltraummissionen mit innovativen Lösungen und Kosteneffizienz weiter unterstützen. Weitere Informationen erhalten Sie hier.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: X - Facebook - LinkedIn