Infrastrukturen für die Telekommunikation
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Halbleiter von Infineon ermöglichen besonders zuverlässige Regelung, effiziente Stromwandlung und sichere Speicher für Anwendungen für Kommunikationsinfrastrukturen wie Makro-Basisstationen, Basisbandeinheiten (BBUs), HF-Verarbeitungseinheiten (RRUs) und Mikrozellen
Durchgehend verfügbare Mobilfunknetze im superschnellen Mobilfunkstandard 5G bilden die Grundlage für eine nahtlose Vernetzung von Menschen, Unternehmen, Maschinen und automatisierten Prozessen. 5G funktioniert nur dann reibungslos, wenn alle Teile der Netzarchitektur dafür bereit sind. Hierbei ist Massentauglichkeit sowohl der Festnetz- als auch der Drahtlos-Komponenten für Zugriff, Transport und Kernfunktionalität gefordert – denn jedes Netz ist nur so schnell wie sein schwächstes Verbindungsglied. Wir bei Infineon entwickeln 5G-Technologien mit einer um den Faktor 20 höheren Bandbreite als bei aktuellen Netzen sowie einer verbesserten Latenzzeit. Und das alles mit größtmöglicher Zuverlässigkeit (99,9999 %), damit eine ständige Vernetzung gewährleistet ist.
Die Leistungsverbesserungen bei der Stromwandlung in Telekommunikationssystemen waren vor allem dadurch möglich, dass der Durchlasswiderstand von MOSFETs für hohe Spannungen verringert werden konnte. Zum Erreichen der aktuellen, anspruchsvollen Zielvorgaben, die Energieeffizienzkurven mit flachem Verlauf fordern, eignen sich ganz besonders die OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs von Infineon zur Synchrongleichrichtung bei mittleren Spannungen. Die OptiMOS™-Leistungs-MOSFET-Produktfamilie, die typischerweise für Brick-Lösungen bei DC-DC-Wandlern eingesetzt wird, versorgt in Kombination mit Gate-Treiber-ICs und Mikrocontrollern die BBUs, RRUs, und AAUs der Makro- und Mikrozellen effizient mit Strom.
Die Halbleiter mit breitem Bandabstand von Infineon, wie beispielsweise die Produktfamilien CoolGaN™ 600 V (Galliumnitrid-Technologie) und CoolSiC™ 650 V (Siliziumcarbid-Technologie) für die Primärseite und die in Kürze auf den Markt kommende Produktfamilie CoolGaN™ 100 V/200 V für Synchrongleichrichtung bieten Stromwandlung mit maximalem Wirkungsgrad und Robustheit – bei erschwinglichen Systemkosten. Die Gate-Treiber-IC-Produktfamilie EiceDRIVER™ von Infineon stellt eine perfekte Ergänzung zu den CoolGaN™- und CoolSiC™-Produkten dar.
