Dual-channel isolated gate driver | EiceDRIVER™ 2EDi
Fast, robust, dual-channel, functional and reinforced MOSFET isolated gate drivers with accurate and stable timing
The EiceDRIVER™ 2EDi, dual-channel isolated product family of gate driver ICs, is designed for robust operation in high performance CoolMOS™, CoolSiC™ and OptiMOS™ MOSFET half-bridges. The products are used in primary- and secondary-side controlled hard- and soft-switching topologies. They are pivotal to optimize power conversion efficiencies and to ensure a robust switched-mode power-supply operation under nominal and abnormal operation.
Key benefits include choice of source/sink currents options of 1A/2A or 4A/8A to optimize MOSFET switching speed and EMI and range of packages (150mil 16-pin DSO, 300mil 16-pin DSO, 5x5 mm 13-pin LGA) to best match isolation ratings and assembly technologies. In addition, the undervoltage lockout (UVLO) function to best fit to MOSFET gate-threshold voltages and the short propagation delay combined with excellent timing accuracy over both temperature and production enable consistent switched-mode power-supply performance under harsh real-life conditions.
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- Server, telecom, SMPS
- EV Off-board chargers
- Low-voltage drives and power tools
- Solar micro-inverter, solar optimizer
- Industrial power supply (SMPS, residental UPS)
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Wichtiger Hinweis:
Alle Angaben aus dem Infineon-Cross Reference-Suchtool wurden von Infineon nach bestem Wissen zusammengestellt und basieren auf den veröffentlichten Herstellerinformationen zum Zeitpunkt der Erfassung durch Infineon. Diese Informationen sind nur als Vorschlag gedacht und dürfen unter keinen Umständen als Garantie für bestimmte Funktionen oder Eigenschaften betrachtet werden. Kunden, die sich für diese Cross References interessieren, können sich stets an einen Infineon-Ansprechpartner in ihrer Nähe wenden, um ihre Anforderungen und Bedürfnisse im Detail zu besprechen. Infineon ist nicht für fehlerhafte oder unvollständige Angaben verantwortlich.
By taking this course you will learn more about…
- The gate driving limitation in SiC MOSFETs
- The reason for gate driving limitation parameters in datasheets
- The possible solution to overcome those issues and improve the reliability