通信インフラ

エンドツーエンドの5Gネットワークは、人、ビジネス、機械、自動化されたプロセスをシームレスに接続するために不可欠です。5Gは、固定および無線の大規模アクセス、トランスポート、コアなど、ネットワーク・アーキテクチャのすべての部分が準備できていなければ機能しません。どのようなネットワークでも、最も弱いリンク接続と同じくらい遅いものです。インフィニオンでは、現在のネットワークの20倍以上の帯域幅を提供し、遅延を改善する5Gのための技術を考案していますが、「常に接続された」ネットワークを実現するためには、最高の信頼性（99.9999％）が必要です。

通信電力変換システムで行われた性能向上は、高電圧MOSFETで達成されたオン抵抗の低減によって推進されてきました。現在要求されているフラットなエネルギー効率目標を達成するために、同期整流用のインフィニオンの中電圧OptiMOS™パワーMOSFETを使用することができます。一般的にDC/DCブリックソリューションに使用されるOptiMOS™パワーMOSFETファミリは、ゲートドライバICやマイクロコントローラと組み合わせることで、マクロセルやスモールセルのBBU、RRU、およびAAUに効率的に電力を供給します。

一次側のCoolGaN™ 600 V (ガリウムナイトライドベース) およびCoolSiC™ 650 V (シリコンカーバイドベース)、および同期整流用のCoolGaN™ 100V/200Vなどのインフィニオンのワイドバンドギャップ技術により、魅力的なシステムコストで最高の電気変換効率と堅牢性を実現しています。インフィニオンのEiceDRIVER™ゲートドライバICファミリは、CoolGaN™およびCoolSiC™製品に完全にマッチします。