F-RAM (強誘電体RAM)
実質的に無制限の書き換え回数を備えた高信頼性で低消費電力のデータロギングメモリ
F-RAM (強誘電体RAM) サブカテゴリー
FRAM (Ferroelectric Random Access MemoryまたはFeRAM: 強誘電体RAM) はスタンドアロンの不揮発性メモリで、電源が遮断されても重要なデータを即時読み込み、保存できます。そのため、信頼性の高い制御やスループットが求められる高性能プログラマブルロジックコントローラー (PLC)、または患者の生命力を向上させる患者監視装置のようなミッションクリティカルなデータロギング アプリケーションに最適です。低消費電力でコンパクトに設計されたF-RAMは、スピードやエネルギー効率を犠牲にすることなく、即時不揮発性と事実上無制限の耐久性を提供します。
容量: 4Kb, 16Kb, 64Kb, 128Kb, 256Kb, 512Kb, 1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb
インターフェース: I2C, SPI, QSPI, パラレル (X8, X16)
- NoDelay™ 書き込み - ソークタイムなしのバス速度でメモリセルにデータを書き込み
- 高耐久性 - 100兆回以上の書き込みサイクルでフローティングゲートメモリを上回る耐久性
- 超低消費電力 - 消費電力はEEPROMの200分の1、NORフラッシュの3,000分の1
- 耐放射線性 - ビットの反転を引き起こす放射線によるソフトエラーに耐性
Infineon offers a comprehensive portfolio of serial and parallel F-RAM non-volatile memories. Our standard F-RAMs are available in densities ranging from 4kbit to 4Mbit. Excelon™ is Infineon’s next generation of FRAM memory. Excelon™ F-RAM delivers the industry’s lowest-power nonvolatile memory, by combining ultra-low-power operation with high-speed interfaces, instant nonvolatility and unlimited read/write cycle endurance making it the ideal data-logging memory for portable medical, wearable, IoT sensor, industrial and automotive applications. They are available in densities ranging from 2 Mbit to 16 Mbit and support 1.71V to 1.89V operating voltage range in addition to the wide-voltage 1.8V to 3.6V range.
Learn more about our high-density Excelon™ FRAM’s.
インフィニオンは、シリアルおよびパラレルF-RAM不揮発性メモリの幅広いポートフォリオを提供しています。F-RAM標準品は、4kbitから4 Mbitまでの密度で取り揃えています。Excelon™ はインフィニオンの次世代強誘電体RAM (FRAM) メモリです。Excelon™ F-RAMは、超低消費電力動作と高速インターフェース、即時不揮発性、無制限の読み出し/書き込み回数を組み合わせることにより、業界で最も低消費電力の不揮発性メモリを提供します。ポータブル医療、ウェアラブル、IoTセンサー、産業用および車載アプリケーションに理想的なデー タロギング メモリです。2Mbitから16Mbitまでの容量を取り揃え、1.8Vから3.6Vの広電圧範囲に加えて、1.71 Vから1.89 Vの動作電圧範囲に対応します。
大容量Excelon™ FRAMの詳細については、こちらをご覧ください。
F-RAMメモリは強誘電体技術で製造されています。F-RAMチップは、一般にPZTと呼ばれるチタン酸ジルコン酸鉛の薄い強誘電体膜を含有しています。PZTの原子は電界で極性を変化させ、電力効率の高いバイナリスイッチを生成します。しかし、電力遮断の影響を受けないというPZTの最も重要な点により、F-RAMは信頼性の高い不揮発性メモリになっています。F-RAMの基本的な動作原理とそのユニークなメモリセルアーキテクチャは、EEPROMやNORフラッシュのような競合するメモリ技術とは一線を画し、特定の利点をもたらします。
F-RAM製品は、競合するEEPROMやMRAMソリューションよりもはるかに少ないアクティブ電流を消費し、業界で最も低消費電力の不揮発性メモリソリューションの一つです。このため、F-RAMはウェアラブル機器や医療用インプラントなどのバッテリー駆動機器に適しています。F-RAMは、事実上無制限の耐久性と瞬時不揮発性により、いくつかのデータロギングアプリケーションにおいて、EEPROMやNORフラッシュのような既存のメモリよりも優れています。
|
1. インフィニオンのF-RAMテクノロジーの紹介をご覧ください。
3. F-RAM製品の詳細をご覧ください
4. システム設計の課題とソリューションの検討
5. データシートのダウンロード
6. すべてのF-RAMアプリケーションノートをダウンロード
7. Request an F-RAM Development Kit
8. 製品セレクタを使用して、お客様の要件を満たすF-RAMを使用します
10. Infineon Developer Communityを使用して、インフィニオンのアプリケーション エンジニアリング チームから回路図のレビューを受けてください
