nvSRAM (不揮発性 SRAM)

インフィニオンのnvSRAMファミリーとその特長

インフィニオンのnvSRAMは、業界をリードするSRAM技術とクラス最高のSONOS不揮発性技術を組み合わせて、シリアルおよびパラレルnvSRAM不揮発性メモリの包括的なポートフォリオを提供します。

インフィニオンのパラレルnvSRAMは、20 nsの最速アクセス時間を備えた業界最速のパラレル不揮発性RAMソリューションです。 これらは64 kbから16 Mbの範囲の容量で入手可能で、2.7 Vから5.5 Vまでの広い電圧範囲に対応します。これらは、RAIDストレージ、産業オートメーション、コンピューティングおよびネットワーキングなどのアプリケーションで使用されます。

インフィニオンのシリアルnvSRAMは、無限の読み出し/書き込み耐久性と高速読み書きを提供します。 64 kbビットから1 Mbの範囲の容量で提供され、2.7 Vから5.5 Vまでの広い電圧範囲に対応します。 これらは、産業用制御、オートメーション機器、スマートメーターなどのアプリケーションで使用されます。
インフィニオンのnvSRAMは、TSOP、FBGA、SSOP、SOICパッケージなどの業界標準のRoHS準拠パッケージオプションで提供されます。

SONOS テクノロジー

インフィニオンのnvSRAM製品は、標準のSRAMセル上に構築されたSONOS不揮発性セルを特長としています。 電源が投入されると、デバイスは標準のSRAMと同様の動作をします。 ただし、電源が切断されると、各セルの内容はSRAMセルの上に配置された不揮発性素子に自動的に保存されます。 この不揮発性素子は、標準的なCMOSプロセス技術を使用して、標準的なSRAMの高性能性を実現します。

SONOSテクノロジーは、ファウラー・ノルドハイムトンネル (FNトンネリング) を利用して、サンドイッチされた窒化物層に電荷をトラップしてデータを保存します。 FNトンネリングの主な利点は、NV耐久性が大幅に向上し、摩耗がはるかに遅いことです。 SONOSテクノロジーのもう一つの利点は、CMOSへの統合が容易であることです (マスクを2枚追加するだけです)。 これにより、NVセルを各メモリビットの6T SRAMセルのすぐ隣に配置することができ、SRAMからNVへの転送はすべて並列かつ非常に低い電力レベルで行われます。 フローティングゲート技術とは異なり、SONOSメモリデバイスはゲートスタックの高さを薄くして静電制御を強化することができるため、拡張性も向上します。

nvSRAMと他の競合する不揮発性メモリの比較

• nvSRAMは、競合するEEPROMおよびBBSRAM (バッテリーバックアップSRAMまたはBatRAM) ソリューションよりも少ないアクティブ電流を消費します。
• さらに、バッターバックアップソリューションとは異なり、nvSRAMメモリは電荷を保持するために外部バッテリーを必要としません。 このため、nvSRAMはスマートメーターなどのデータロギングアプリケーションに適しています。
• nvSRAMは、無限の耐久性と瞬時の不揮発性により、いくつかのデータロギングアプリケーションでEEPROMやBBSRAMなどの既存のメモリよりも優れた性能を発揮します。