ダイオードとサイリスタ (Si/SiC)
異なる設計とハウジングのパワーダイオードとサイリスタ
ダイオードとサイリスタ (Si/SiC) サブカテゴリー
全てのサブカテゴリーを閉じる 全てのサブカテゴリーを開くコアテクノロジーにおける最高の信頼性と効率性の目標は常に変化し続けるため、継続的な改善が不可欠であるとインフィニオンは理解しています。インフィニオンは、パワーダイオードとサイリスタのマーケットリーダーとして世界中に、発電、送電、供給、制御向けのコアテクノロジーを提供しています。
インフィニオンの大きな望みは、お客様がそれぞれの市場で成功することです。これこそがお客様のシステム向けに最先端のソリューションの革新・開発・製造を行う理由です。最高出力密度と付加機能を備えた高性能ディスク、魅力的な価格性能比を提供するサイリスタ/ダイオードモジュール、ディスクリート パッケージの高効率シリコンダイオードまたはCoolSiC™ダイオード、最高の柔軟性を備えたベアダイなどの製品を取り揃えています。
ハイパワーダイオードとサイリスタは、多くのアプリケーションにおいて大幅に効率を向上させるのに使用されています。こうしたハイパワーダイオードとサイリスタは、電力範囲10 kW から 10 GW 超に標準を設定しています。ディスクリートシリコンまたはシリコンカーバイド (SiC) ショットキー ダイオードが対象とするアプリケーションは、サーバーファーム、太陽光発電所、エネルギー貯蔵システムなどです。産業用および車載用アプリケーションの両方に対応しています。
さまざまなハウジングにおける堅牢なダイオードとサイリスタ
インフィニオンは、ディスクリート、モジュール、ディスクハウジングのダイオードとサイリスタを、幅広いアプリケーション、電圧、温度、電力クラス向けに提供しています。 これらのデバイスの高い過負荷容量と安定したオン状態の動作により、サージ保護が提供され、ダウンタイムの短縮と寿命の延長につながります。 また、ターンオンdi/dt 容量も大きいため、効率と信頼性が向上します。
すべてのダイオードとサイリスタは、RoHS 準拠を保証するために、堅牢な規格に従って製造および組み立てられています。 ディスクリート、ディスク、モジュール ハウジング内の製品を強化するために、クランプ、ゲート リード、光ファイバー、レーザー ダイオードなどの技術アクセサリも提供しています。
製品グループのサブカテゴリー
インフィニオンのディスクリートハウジングのサイリスタとダイオードの包括的なポートフォリオにより、ハードまたはソフトスイッチングトポロジー、高速スイッチングまたはソフトリカバリーの要求など、設計に最適な製品を選択できます。
高出力の光トリガー サイリスタ (LTT) は、高いDC ブロッキング電圧、サージ電流能力、および統合保護を提供し、最新のHVDC コンバーター設計の合理化に役立ちます。 電気信号トリガー サイリスタ (ETT) は、電力スケーリングを容易にするための優れたオプションです。 ハードスイッチングおよび共振スイッチングのアプリケーションを効率化するには、ソフトリカバリー特性を備えたフリーホイールダイオードを使用してください。
CoolSiC™ ショットキーダイオードは、高電圧、高温アプリケーションで性能を発揮し、温度、スイッチング速度、または負荷電流に依存しないスイッチング損失を示します。 インフィニオンは、低VF で堅牢なEMI を備えた600V および1200V のウルトラソフトダイオードと、18〜100kHz のスイッチングアプリケーション向けの650V 高速ダイオードも提供しています。
車載用の溶接業界向けには、低オン電圧のハウジングレス溶接ダイオードが提供されており、中周波抵抗溶接や高電流整流器の用途に最適です。
追加情報
私たちの最も強い願望は、お客様が市場で成功することです。 そのため、最高の電力密度と追加機能を備えた高性能ディスク、魅力的な価格性能比を提供するサイリスタ/ダイオードモジュール、ディスクリートハウジング内の高効率SiまたはCoolSiC™シリコンカーバイドダイオード、最高の柔軟性を実現するベアダイなど、システム向けの最先端のソリューションを革新、開発、製造しています。
高出力ダイオードとサイリスタは、多くのアプリケーションで効率を大幅に向上させるために用いられます。 また10 kWから10 GW以上の電力範囲で基準を設定しています。 ディスクリートシリコンまたはシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードは、サーバーファーム、太陽光発電所、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションを対象としています。 産業用および車載用の両方のアプリケーションに適合しています。
モジュール製品のポートフォリオ
インフィニオンのサイリスタおよびダイオードモジュールは、費用対効果が高く、取り付けが簡単で、迅速な設置が可能です。 これらの製品は、圧接またははんだ接合技術によって堅牢性を強化されています。これらのモジュールの多くには、高電力密度アプリケーションでの熱性能と信頼性を向上させるために、サーマル インターフェース マテリアル (TIM) も組み込まれています。
1600V 〜 4400V の圧接モジュールは、高い過負荷容量とブロッキング安定性を提供し、高い電力密度および温度要件でクラス最高の性能と信頼性を実現します。 サイリスタ ソフトスターター モジュールは、低電圧のソフトスタート アプリケーション向けの費用対効果が高く使いやすいモジュールです。 はんだ接合モジュールは、高性能と競争力のある価格でこれらのモジュール間のギャップを埋めます。
送配電アプリケーション向けには、数十年にわたサイリスりサイリスタが使用されてきましたが、現在はサイリスタやIGBTがHVDCシステムおよびFACTSに使用され、様々な要件を満たしています。
The latest most price-performance generation of Infineon CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6 offers the best efficiency per dollar.
インフィニオンは、電力変換向け高出力製品の包括的なラインアップをご提供し、お客様の目的達成のお手伝いをいたします。
エネルギー即ち生活です。家を温め、自動車に給電し、巨大都市に明かりを灯します。リソースが減少する一方で、エネルギー消費は世界的に増えています。世界規模のエネルギー消費の1/3は電力消費で、その傾向は強まっています。
インフィニオンのRapid1およびRapid2ダイオードは、ハイパワー600V/650Vダイオードの従来品を補完し、SiCダイオードとエミッタ制御ダイオード間の隙間を埋めます。
インフィニオンのRapid1ダイオードファミリーは、1.35Vの安定した温度特性の順方向電圧(VF)を備えており、伝導損失を最小限にし、EMI発生を最小限に抑えます。
Rapid 2ダイオードは、逆方向の回復電荷(Qrr)と時間(trr)を低くすることによって40kHzと100kHzを切り替えることで、電力スイッチのターンオン損失に起因する逆伝導時間を最小限に抑え、最高効率を実現しています。