CoolSiC™ ショットキー ダイオード 1200 V G5

概要

シリコンカーバイドCoolSiC™ショットキーダイオードソリューション - 効率向上およびソリューションコスト改善

インフィニオンは世界初のSiCディスクリートパワーサプライヤーです。 長い市場での存在感と経験により、インフィニオンは信頼性の高い業界最高のSiC性能を提供します。 シリコンカーバイドとシリコンとの間の材料特性の差異は、実用的なシリコンユニポーラダイオード（ショットキダイオード）の製造を100V〜150Vまでの範囲で、比較的高いオン抵抗とリーク電流を制限します。 SiC材料では、ショットキダイオードは非常に高い降伏電圧に対応します。 SiCデバイスのInfineonポートフォリオは、600Vおよび650V〜1200Vのショットキー・ダイオードをカバーしています。

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製品
ハイライト
主な特長 メリット 主な利点 アプリケーション
  • 逆回復電荷がない
  • 純容量性スイッチング
  • 高い動作温度（T jmax 175°C）
  • 低いターンオフ損失
  • CoolMOS™またはIGBTのターンオン損失低減
  • 負荷電流、スイッチング速度、温度に依存しないスイッチング損失
  • シリコンダイオードと比べて、システム効率改善
  • 冷却必要性の低減
  • 高周波数動作が可能で電力密度を向上
  • 動作温度低下によりシステム信頼性が向上
  • EMI低減

 

SiCショットキーダイオードとSi PINダイオードの逆回復電荷

SiCショットキーダイオードとSi PINダイオードの逆回復電荷

デバイスの多数キャリア特性からは、逆回復電荷は見られず、スイッチング損失の原因となるものは容量性の微小な変位電荷からだけのものです。同一の電圧範囲では、シリコンデバイスはバイポーラコンポーネントにおいて高いスイッチング損失の結果となることがわかります。このグラフはさまざまな600Vデバイス間の比較を示しています。

システム効率改善（CCMモード動作でのPFC、最大負荷、ローライン）

シリコンカーバイドダイオードのスイッチング特性。

SiC（シリコンカーバイド）ダイオードの高速スイッチング特性によりシステムレベルでの明白な効率向上が実現します。動作周波数が上がるにつれてSiCとハイエンド シリコンデバイスとの性能差が拡大します。

PFCのためのシステムソリューション

CCM PFC電力 [W] CoolMOS™ R DS(on) [mΩ] CoolSiC™ ダイオード I F [A]
サーバ テレコム サーバおよびテレコム
500 1 x 90 1 x 190 1 x (4~6)
750 1 x 99/2 x 190 2 x 190 1 x (6~8)
1200 2 x (70~99)   1 x (8~10)
2000   2 x 99 2 x (6~8)/1 x (12~16)
2700 3 x (41~80)   2 x (8~10)/1 x (16~20)
3000   2 x 65/1 x 19 2 x (8~10)/1 x (16~20)
  • RDS(on)は、必要な効率レベル、スイッチング周波数、熱管理に依存します
  • SiC（シリコンカーバイド）ダイオードの電流レベルは、スイッチング周波数、電流制限、熱管理に依存します

推奨ドキュメント

Button-Infineon-PowerandSensing-SG
ビデオ

CoolSiC™ 1200 V Schottky diode  in TO-247 real 2-pin package – product introduction

In this video you will be guided through some key benefits and features of Infineon newly launched CoolSiC™ 1200V Schottky diode in TO247 real 2 pin package.

This video introduces some application examples and benefits you can get when changing from Si 2 pin diode to our CoolSiC™ 1200 V Schottky diode in TO247 real 2 pin package.

The latest most price-performance generation of Infineon CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6 offers the best efficiency per dollar.

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