CoolSiC™ ショットキー ダイオード 1200 V G5

現在のところ、高効率でコンパクトかつシンプルな3相インバータシステムの実装は、1200Vの電圧ではシリコンデバイスの動的損失が高いため思うようにいきません。代わりに600V/650Vのデバイスを使用して設計すると、効率はある程度改善されます。しかしこうした設計ではトポロジーが複雑化（3レベル）してしまい、結果的に制御スキームも複雑になり、パワーコンポーネントの数も増えてしまいます。

SiのIGBTのターンオン損失も40%低減され、EMI（電磁干渉）も低減されます。さらに、Siベースのソリューションと比べると、熱性能が改善されることで接合部温度も15%低くなります。これによってシステムの信頼性が高まり、同じフォームファクターでも高い出力を得られる可能性があります。

SiCダイオードの静的損失がしばしば、この「Si IGBT/SiCダイオード」ソリューションの最適化の可能性を制限する要因となります。この問題を解決するために、第5世代ダイオードでは順方向電圧とその温度依存性を低減させて静的損失を抑え、それにより価格性能比も向上しています。この第5世代がターゲットにするのは、太陽光発電インバータや無停電電源装置（UPS）、モータ駆動、3相スイッチング電源（SMPS）などの分野です。