シリコンダイオード
概要
完璧なコスト性能比を実現し、スイッチング周波数18 kHz~100 kHzの行う高効率アプリケーションをターゲットとしています。
シリコンダイオード サブカテゴリー
Silicon Power Rapid Diodeファミリーは、SiCダイオードと既にリリースされているエミッタ制御ダイオードとのギャップを埋めることにより、インフィニオンの既存の600V/650Vダイオードポートフォリオを補完します。Rapid 1およびRapid 2ダイオードは、CoolMOS™およびTRENCHSTOP™ 5やHighSpeed 3などの高速IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ) との優れた互換性を持つように最適化されています。
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