ゲートドライバーIC すべてのスイッチにはドライバが必要： 適切なドライバの使用が変化をもたらします
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全てのサブカテゴリーを閉じる 全てのサブカテゴリーを開くパワーエレクトロニクスにはスイッチテクノロジーが使用されています。また、すべてのパワーデバイスには、最適なゲートドライバ・ソリューションが必要です。そのため、インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。
すべてのスイッチにはドライバが必要 – 適切なドライバが違いを生む
パワー エレクトロニクス アプリケーションにはパワー デバイスが使用されており、最適なゲートドライブ ソリューションが必要です。インフィニオンは、あらゆるアプリケーションのあらゆるパワースイッチに適した500を超えるEiceDRIVER™ゲートドライバーIC ソリューションを提供しています。
EiceDRIVER™ ゲート ドライバーは、0.1 A から最大 18 A までの幅広い出力電流オプションを提供します。高速短絡保護 (DESAT)、アクティブ ミラー クランプ、シュートスルー保護などの堅牢な保護機能と、これらのドライバ IC は、障害、シャットダウン、および過電流保護機能を備えており、CoolGaN™ や CoolSiC™ などのシリコンおよびワイドバンドギャップ パワー デバイスの両方に最適です。
ゲートドライバー選択ガイドを今すぐダウンロードしてください。
EiceDRIVER™ ゲートドライバIC 技術
インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBT モジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBG パワーデバイスで使用するゲートドライバーIC のポートフォリオが生まれました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、車載認定ゲートドライバー、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバー、および非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。
ポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、およびパッケージオプションに及びます。最先端のディスクリート製品ファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライブ構成は、ディスクリートやモジュールにかかわらず、すべてのパワースイッチにとって不可欠です。EiceDRIVER™ ゲートドライバーIC の特長とアプリケーション
EiceDRIVER™ ゲートドライバIC の特長とアプリケーション
インフィニオンのEiceDRIVER™ ゲートドライバーは、内蔵ブートストラップダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、フォルトレポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、DESAT、プログラマブルデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、シンク出力とソース出力の分離、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能、基本、および強化) などの高度な機能を提供します。
自動車、産業用モータードライブ、ソーラーインバーター、EV充電、ロボット工学、UPS、サーバーおよびテレコム電源、小型および大型家電製品、バッテリー駆動アプリケーション、高電圧照明などの市場の何百もの最終アプリケーションに最適なソリューションを利用できます。自動車、産業用モータードライブ、ソーラーインバーター、EV 充電、エネルギー貯蔵、ロボット工学、UPS、サーバーおよび通信電源、小型および大型家電製品、バッテリー駆動アプリケーション、高電圧照明など、何百ものエンドアプリケーションに最適なソリューションが用意されています。
In this webinar, we will visit a selected Gate Driver IC portfolio which shares a common set of strengths.
用途に応じて調整されたインフィニオンのゲートドライバソリューションについて、このビデオでは、ゲートドライバICが、車載、大型家電、産業用モータドライブ、太陽光発電インバータ、UPS、スイッチング電源、高電圧照明など多くのアプリケーションに適している理由を説明します。
インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。
市場リーダーによる1200V シリコンオンインシュレータ レベルシフトゲートドライバ。このビデオでは、インフィニオンのSOI製品のメリットを説明します。たとえば、内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失による省スペースやコスト削減があります。
EiceDRIVER™ 电气隔离栅极驱动器采用独特无芯变压器 (CT) 技术，提供跨电气隔离信号传输。我们提供短路保护、100 kV/μs CMTI、有源米勒箝位、软关断和其他功能，该产品特别适用于驱动 SiC MOSFETs 和 GaN HEMT。
When we are designing a switching mode power supply, PCB layout is always an important topic. Solving interference problems by slowing down the switching speed of power devices is no longer a solution. Join us to see how to optimize PCB layouts.
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
Our 1200 V level-shift gate driver family is a high-voltage, level-shift technology that provides unique, measurable, and best-in-class advantages, including an integrated bootstrap-diode and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes.
Gate drivers are key components to enable applications, such as EV charging, Solar or Energy Storage Systems. But why are gate drivers so important? Stay tuned!
Discover the importance of using fast output clamping for an output-side supply less than UVLO in a fast-switching application.
This training will give you some hints on how to select the right gate driver, the requirements of industrial drives, our offering and the dimensioning of the gate driver circuit.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
