1ED3120MU12H

概要

5.5A、5.7kV（rms）シングルチャネル絶縁型ゲートドライバ、シンク／ソース個別出力、UL 1577認証、 8 V UVLO

EiceDRIVER™ Compact シングルチャネルは、IGBTs、MOSFETs、SiC MOSFETs向けの絶縁型ゲートドライバで、5.5 A（peak）のシンク／ソース電流、沿面距離（>8mm）のDSO-8ワイドボディパッケージです。

1ED3120MU12H は、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー（X3コンパクトファミリー）の製品です。1ED3120は、個別のシンク／ソースピン、電源電圧が十分ではない場合にIGBTをオフ状態にするアクティブシャットダウン機能、短絡時にゲート電圧を制限する短絡クランプを備えています。このドライバは、ユニポーラでもバイポーラでも幅広い電源電圧で動作可能です。

特長

  • EiceDRIVER™ Compactシングルチャネル絶縁型ゲートドライバ1ED31xxファミリー（X3コンパクトファミリー）
  • 2300VまでのIGBT、SiC、Si MOSFET用
  • 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
  • ガルバニック絶縁されたコアレストランスゲートドライバ
  • 5.5 A （peak）のシンクおよびソースピーク出力電流
  • 出力側最大電源電圧40V
  • 伝搬遅延90ns（入力フィルタ90ns内蔵）
  • 高いコモンモード過渡耐性 CMTI>200kV/μs
  • 個別のソース／シンクピン
  • 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
  • 沿面距離(>8 mm)のDSO-8 300milワイド-ボディパッケージ
  • ヒステリシス付き8 V／10 V低電圧ロックアウト（UVLO）保護

利点

  • 内蔵フィルタにより外付けフィルタ不要
  • ターンオン伝搬遅延マッチング（最大7ns）、経年劣化、電流、温度による変動がなく、誤差が小さいのでアプリケーションの堅牢性が向上
  • 高い周囲温度および高速スイッチングアプリケーションでの動作に適合
  • UL 1577（計画中）VISO = 6.8 kV（rms）（1秒）、 5.7 kV（rms）（1分）
  • 伝搬遅延が短いのでデットタイムを最小化し、システムの効率向上および高調波ひずみを低減
  • 精密なしきい値とタイミング、およびUL 1577認証により優れたアプリケーションの安全性を実現
  • 高い絶縁性能はDC 1500V のソーラーインバーターアプリケーションで、使用することができます

Find our Variations for EiceDRIVER™ compact 1ED31xx family (X3 compact family)

Part No Typ. current Feature UVLO Isolation Certification
1ED3120MU12H 5.5 A Separate output 8/10 V UL 1577
1ED3121MU12H 5.5 A Separate output 10.5/12.5 V UL 1577
1ED3122MU12H 10 A Active Miller clamp 8/10 V UL 1577
1ED3123MU12H 14 A Separate output 8/10 V UL 1577
1ED3124MU12H 14 A Separate output 10.5/12.5 V UL 1577
1ED3131MU12H 5.5 A Separate output, 180 ns input filter 10.5/12.5 V UL 1577
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トレーニング

EiceDRIVER™ X3 Compact: isolated driver with Miller Clamp / Sep-Out

  • The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS

Watch now

  • EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.

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シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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