1ED3124MC12H
14 A, 5.7 (rms) シングルチャンネル絶縁ゲートドライバー、2つの分離された出力、UL 1577 & VDE 0884-11認証、10.5 V UVLO
EiceDRIVER™ IGBT、MOSFET、SiC MOSFET向けに、沿面距離が大きい（>8 mm）DSO-8ワイドボディパッケージで、標準14 A のシンクおよびソーシングピーク電流出力のコンパクトな1チャンネル絶縁ゲートドライバーです。
1ED3124MC12Hは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリ（X3 Compactファミリー）に属します。1ED3124は、シンク/ソース分離出力、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBTを安全にオフ状態にするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキットクランピングを提供します。このドライバーは、広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラで作動させることができます。
特長
- EiceDRIVER™ コンパクトな1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
- 650 V/1200 V/1700 V/2300 VのIGBT、SiおよびSiC MOSFETに使用可能
- 2300 V の機能オフセット電圧に対応（特定用途向け)
- ガルバニック絶縁型コアレストランスゲートドライバー
- 5.5 A（標準）シンクおよびソースピーク出力電流
- 40 V 絶対最大出力電源電圧
- 90 ns の伝搬遅延（30 nsの入力フィルタが内蔵)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI > 200 kV/μs
- ソースとシンクを分離した出力
- 短絡クランプとアクティブシャットダウン
- DSO-8 300 mil ワイドボディパッケージ、大きな沿面距離 (>8 mm)
- ヒステリシス付き10.5V/12.5V 低電圧ロックアウト（UVLO）保護機能
利点
- 内蔵フィルターにより、外部フィルターの必要性を低減
- IC間ターンオン伝搬遅延のタイトなマッチング（最大7ns）、経年変化、電流、温度による変動がなくアプリケーションの堅牢性を向上させる耐性。
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに適しています。
- UL 1577 VISO = 6.8 kV (rms), 1秒, 5.7 kV (rms), 1分
- IEC 60747-17/VDE 0884-11で VIORM=1767V（ピーク、強化絶縁）。
- 伝搬遅延が小さいため、デッドタイムが短くなり、システム効率が向上し、高調波歪みが減少します。
- 高精度なスレッショルドとタイミング、UL1577認証により、優れたアプリケーションの安全性を実現します。
- 高い絶縁能力により、1500 V DC ソーラーインバーターアプリケーションで使用可能です。
| Part No | Typ. Current | Feature | UVLO | Isolation Certification |
| 1ED3120MC12H | 5.5 A | Seperate output | 8/10 V |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3121MC12H | 5.5 A | Seperate output | 10.5/12.5 V |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3122MC12H | 10 A | Active Miller clamp | 8/10 V |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3123MC12H | 14 A | Seperate output | 8/10 V |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3124MC12H | 14 A | Seperate output | 10.5/12.5 V |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3131MC12H | 5.5 A | Seperate output, 180 ns input filter | 10.5/12.5 V |
UL 1577 & VDE-11 |
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
