1ED3125MU12F
アクティブミラー クランプ搭載 1チャネル絶縁ゲートドライバー、10 A/3.0 kV (rms)、UL 1577認証、10.5V UVLO
EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバーは、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET用のDSO-8ナローボディ パッケージで、シンクおよびソースのピーク出力電流10 A (typ.) です。
1ED3125MU12Fは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー) に属します。1ED3125は、アクティブミラークランプ、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBTを安全にターンオフするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピングを備えています。このドライバーはユニポーラ、バイポーラに関わらず、広い電源電圧で動作することが可能です。
特長
- EiceDRIVER™ Compact シングルチャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー)
- 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- 2300 Vのオフセット電圧の要求に対応
- ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流: 6.5 A (Typ.)
- 絶対最大出力電源電圧: 40 V
- 伝搬遅延 (30nsの入力フィルター内蔵): 90 ns
- 高いコモンモード過渡耐性: CMTI >200 kV/μs
- アクティブ ミラー クランプ
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 150milナローボディ パッケージ
- ヒステリシス付き10.5 V/12.5 V 低電圧ロックアウト(UVLO)
利点
- 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
- 製品間ターンオン伝搬遅延マッチング (最大7 ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- UL 1577 VISO = 3.6 kV (rms) × 1秒、3.0 kV (rms) × 1分
- 短い伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上および高調波歪みの低減を両立
- 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
EiceDRIVER™ Compact 1ED31xx ファミリー (X3コンパクトファミリー) 製品を検索
| 品番 | 電流 (typ.) | 特長 | UVLO | 絶縁証明 |
| 14 A | セパレート出力 | 10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ |
10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ | 12/14.2 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 8.6/9.3 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 11.1/12 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 12.6/13.6 V |
UL 1577 |
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
