1ED3141MU12F 1チャンネル絶縁ゲートドライバー、6.5 A、3 kV (rms)、独立出力、UL1577認証、12 V UVLO
EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバーは、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET用のDSO-8ナローボディ パッケージで、シンクおよびソースのピーク出力電流6 A (typ.) です。
1ED3141MU12Fは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー) に属します。1ED3141は、アクティブ ミラークランプ、SiC MOSFETに対応した低電圧ロックアウト機能 (UVLO)、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合IGBTを安全にオフ状態にするアクティブ シャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピングを提供します。このドライバーは広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラのいずれで動作させることができます。
特長
- EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー)
- 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
- ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流: 6.5 A (Typ.)
- 絶対最大出力電源電圧: 35 V
- 伝搬遅延 (16nsの入力フィルター付き): 40 ns
- 高いコモンモード過渡耐性: CMTI >300 kV/μs
- ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 150milナローボディ パッケージ
- ヒステリシス付き11.1 V／12 V低電圧ロックアウト (UVLO) 保護
利点
- 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
- IC間ターンオン伝搬遅延マッチングがタイトで (最大7 ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- UL 1577 VISO = 3.6 kV (rms) × 1秒、3.0 kV (rms) × 1分
- 部品間の伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
- 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
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| 品番 | 電流 (typ.) | 特長 | UVLO | 絶縁証明 |
| 14 A | セパレート出力 | 10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ |
10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ | 12/14.2 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 8.6/9.3 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 11.1/12 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 12.6/13.6 V |
UL 1577 |
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