1ED3251MC12H
18A, 5.7 kV (rms) 1チャンネル絶縁ゲートドライバー、2レベルスルーレートコントロール、アクティブミラークランプ、UL 1577 & VDE 0884-11認定
EiceDRIVER™ 2L-SRC 2レベルスルーレート制御（2L-SRC）、アクティブミラークランプ、10A（標準）シンク/ソーシングピーク出力電流を備えたコンパクトな1チャネル絶縁ゲート・ドライバーで、沿面距離が大きい（8mm以上）DSO-8ワイドボディ・パッケージ。
1ED3251MC12Hは、EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact 1ED32xxファミリーに属します。1ED3251は、2つの分離された10A（標準）のピーク出力を提供し、ターンオン時に2つの独立したゲート抵抗を制御することで、2レベルのスルーレート制御を可能にします。また、寄生ターンオンを回避するために、アクティブミラークランプを実装しています。このドライバーは、広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラで動作させることができます。
特長
- EiceDRIVER™ 2L-SRC コンパクトな1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
- 2レベルスルーレートコントロール機能(2L-SRC)
- 650 V/1200 V/1700 V/2300 VのIGBT、SiおよびSiC MOSFETに使用可能。
- 2300 V の機能オフセット電圧に対応（特定用途向け)
- ガルバニック絶縁型コアレストランスゲートドライバー
- 18 A typical sourcing and 5 A sinking peak output current
- 40 V 絶対最大出力電源電圧
- 110 ns 伝搬遅延 (入力フィルタ 35 ns typ.)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI > 200 kV/μs
- 短絡クランプとアクティブシャットダウン
- DSO-8 300 mil ワイドボディパッケージ、大きな沿面距離 (>8 mm)
利点
- 内蔵フィルターにより、外部フィルターの必要性を低減
- IC間ターンオン伝搬遅延のタイトなマッチング（最大15ns）、経年変化、電流、温度による変動がなくアプリケーションの堅牢性を向上させる耐性。
- 出力間の1ns 伝搬遅延マッチング
- UL 1577（予定） VISO = 6.8 kV (rms)1秒間 , 5.7 kV (rms)1分間
- IEC 60747-17/VDE 0884-11 VIORM=1767V（ピーク、強化）。
- 出力間の厳密な伝搬遅延マッチングにより、ディスクリートソリューションに比べ優れたスルーレート制御機能を実現します。
- 高精度なスレッショルドとタイミング、UL および VDE-11 認証により、優れたアプリケーションの安全性を実現します。
- 高い絶縁耐力、1700V ドライブインバーターアプリケーションに使用可能です。
Find our Variations for EiceDRIVER™ compact 1ED32xx family (2L-SRC)
| Part No | Typ. current | Feature | Active Miller Clamp | Isolation Certification |
| 10 A | Slew-rate control @ turn-on & turn-off | No | UL 1577 & VDE-11 | |
| 1ED3241MC12H | 18 A |
Slew-rate control @ turn-on & turn-off | No | UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3250MC12H | 10 A |
Slew-rate control @ turn-on | Yes | UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3251MC12H | 18 A |
Slew-rate control @ turn-on | Yes | UL 1577 & VDE-11 |
The EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact family (1ED32xx), with two-level slew-rate control and Miller Clamp
2L-SRC optimizes the gate resistors for EMI measurements and for normal operation, compared with the conventional solution
Up to 18 A output current, 200 kV/µs CMTI, VDE 0884-11 & UL 1577, ideal for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7 in drive, solar, UPS, etc.
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
