1ED3491MU12M
5.7kV、9Aシングルチャネルの絶縁型ゲートドライバ。アクティブミラークランプ、調整可能なDESAT、ソフトオフ付き UL1577
EiceDRIVER™ Enhanced シングルチャネルは、IGBTs, MOSFETs、SiC MOSFETs向けの絶縁型ゲートドライバで、±9A（peak）のシンク／ソース電流、沿面距離（>8mm）のDSO-16ファインピッチワイドボディパッケージです。
1ED3491MU12M は、EiceDRIVER™ Enhanced 1ED34xxファミリー（X3アナログファミリー）の製品です。1ED3491は、入力側（ADJAおよびADJBピン）の外付け抵抗によりDESAT（フィルタ時間調整可能）、ソフトオフ（電流レベル調整可能）により容易に設定変更が可能です。このドライバICは、シンク／ソースが個別の出力で、アクティブミラークランプ、フォルト出力、過熱シャットダウンといった保護機能を備えています。
I2C経由でアクセス可能な27のコンフィギュレーション レジスタを備えた1ED3860* (X3 Digital) バージョンも提供しています。
特長
- EiceDRIVER™ Enhancedシングルチャネル絶縁型ゲートドライバ1ED34xx ファミリー（X3アナログファミリー）
- IGBT、SiCおよびSi MOSFET
- ±9A（peak）のシンク／ソース電流
- 出力側最大電源電圧40V
- 個別のソース／シンクピン
- アクティブミラークランプ
- フォルト出力付きの正確なVCEsat検出（DESAT）
- 非飽和検出後IGBTソフトターンオフ
- 入力側からのパラメータ調整：
- ADJBピンで調整可能なDESATフィルタ時間
- ADJAピンで調整可能なソフトオフ電流レベル
- マイクロコントローラへのFLTおよびRDYステータス信号
- ヒステリシス付きの11V／12V低電圧ロックアウト（UVLO）保護
利点
- 160℃（±10℃）で過熱シャットダウン
- 伝搬遅延マッチング（最大30ns）
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI>200kV/μs
- 最大125℃の高い周囲温度での動作に適合
- 沿面距離（>8mm）で小型省スペースのDSO-16ファインピッチワイドボディパッケージ
- UL 1577 VISO = 6.84kV（rms）（1秒）、 5.7kV（rms）（1分）
-
少ない外付け部品とソフトオフ付きのDESATにより、高速な設計サイクルとクラス最高のDESAT精度を可能にします。
- 精密なしきい値とタイミング、およびUL 1577認証により優れたアプリケーションの安全性を実現
- 高信頼性DESAT保護を必要とするさまざまなアプリケーションに最適、アクティブミラークランプを活用、PCBの省スペース要件に適合
Find our Variations for EiceDRIVER™ Enhanced 1ED34xx family (X3 analog family)
| ±3 A | Miller clamp, Resistor adjustable DESAT and soft-off | UL 1577 & VDE-11 | |
| 1ED3431MU12M | ±3 A | UL 1577 | |
| 1ED3461MC12M | ±6 A | Clamp driver, Resistor adjustable DESAT and soft-off |
UL 1577 & VDE-11 |
| 1ED3461MU12M | ±6 A | UL 1577 | |
| ±9 A |
UL 1577 & VDE-11 |
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| 1ED3491MU12M | ±9 A | UL 1577 | |
| Part No | Typ. current | Features | Isolation Certification |
- The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
- The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
