EiceDRIVER™ 200VレベルシフトゲートドライバIC
IRS2007Sなど、VCC、VBS UVLO機能を備えた200VレベルシフトゲートドライバICは、信頼性の高い起動動作を実現しています。
SOI（Silicon On Insulator）や接合絶縁（JI）をはじめ、低電圧（24V, 36V, 48V）、中電圧（60V, 80V, 100V, 120V）モータ制御アプリケーション向けに設計されています。
インフィニオンは、200Vレベルシフトゲートドライバの包括的なラインナップを取り揃えており、低電圧（24V、36V、48V）および中電圧（60V、80V、100V、120V)のモータ制御アプリケーション向けの3相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイドドライバを提供しております。
IRS2005はIRS2001の置換え品です。
IRS2007は、IRS2003に置換え可能です。
IRS2008は、IRS2004に置換え可能です。
IRS2001、IRS2003、IRS2004は、新たな設計には非推奨です。
3相製品ファミリー（6EDL04N02PR、6ED003L02F2）は、インフィニオン独自のSOI（Silicon-on-Demand）レベルシフトテクノロジーを利用し、業界をリードする負のVSへの耐性と、レベルシフト損失を低減した機能的絶縁を実現しています。
内蔵ブートストラップ・ダイオード（BSD）を使い、部品コスト削減、レイアウトの簡素化、PCBサイズ削減を実現するソリューションも提供しています。
IRS200xファミリーは、先進的な接合絶縁高耐圧ICテクノロジーにより、コンパクトで高効率で堅牢なモノリシック構造を実現しています。
IRS2005/7/8ファミリーは、VCCとVBSの低電圧ロックアウト（UVLO）保護機能を備えた4個のデバイスから構成されています。IRS2007とIRS2008には、デッドタイムやシュートスルー保護機能を搭載しています。
200Vデバイスは低い自己消費電流が特長です。また、IRS2008にはシャットダウン入力ピンも搭載しています。
IRS2005/7/8、200Vデバイスは、8ピンDSO-8パッケージ、または14ピン4x4mmのVQFN14パッケージ(IRS2005M)でご提供しており、さまざまな論理入力オプションを備えています。また、標準的なピン配列のため、高い柔軟性と短期間での市場投入を実現しています。全製品ともMSL2規格に準拠しています。
6EDxxxx 3相デバイスは、小型フットプリントのTSSOP-28パッケージ（6EDL04N02PR）で提供しています
| 主な特長 | 主な利点 | 対象アプリケーション |
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ご興味があると思われる情報
In this training, we will present you an overview of the 6ED2742S01Q – a new 160 V 3-Phase Gate Driver IC.
You will learn about the inbuilt linear pre-regulator, charge pump, bootstrap diode as well as some protection features and learn, why it is suitable for battery powered applications.
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
