2ED020I12-FI

概要

1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP

EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge Gate Driver IC for IGBT, MOSFET and SiC MOSFET with typical 1.5 A source and 2.5 A sink currents in PG-DSO-18 package.

特長

  • 1200 V coreless transformer isolated Driver ICs
  • Rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • Floating high side driver
  • Undervoltage lockout for both channels
  • 3.3 V and 5 V TTL compatible inputs

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency
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トレーニング

EiceDRIVER™ isolated gate driver family overview

Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.

  • EiceDRIVER™絶縁ゲートドライバ ― ファミリーは、最先端のコアレス トランスフォーマー (CT) 絶縁技術を採用
  • CTベースの絶縁型ゲートドライバーは、大電流、低消費電力、優れたCMTI、クラス最高の伝搬遅延マッチングを提供します。
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

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SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。

1ED34xx: 1-ch isolated driver with adj. DESAT
  • EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ ファミリー (1ED34xx) 、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ミラークランプ、ソフトオフ (電流レベル調整可能) 搭載
  • 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、伝搬遅延マッチング最大30 ns、出力供給電圧最大40 V
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

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  • EiceDRIVER™ X3デジタル ファミリー (1ED38xx)、DESAT、ソフトオフ、UVLO、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)の I2C設定機能を備えています。
  • 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、30 ns Max. 伝搬遅延マッチング、40 V Max 出力電圧
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

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