2EDF7275K
概要
正確で安定したタイミングを実現する高速かつ堅牢な、MOSFET用 2チャネル機能絶縁型ゲートドライバー
EiceDRIVER™ 2EDF7275Kは、高性能中耐圧DC-DC、ハーフブリッジおよびフルブリッジ トポロジー用に設計された機能絶縁型ゲートドライバーです。4 A/8 Aのソース/シンク電流、37 nsという短い伝搬遅延、温度と製造の両面において優れたタイミング精度により、可能な限り狭いデッドタイム幅で高周波PWM制御を行うのに最適で、最高の変換効率を実現します。
ゲートドライバー出力段のインピーダンスが非常に低いため、ドライパーのパッケージおよび搭載PCBを低温に保つことができます。これは高密度パワーブリック コンバーターにおいて重要な利点となります。このデバイスの4 V UVLOとデッドタイム制御は、ハーフブリッジ構成のOptiMOS™MOSFETが常に安全動作領域内で動作することを保証します。150 V/nsのCMTIは、電源ループ内の高速スイッチング過渡 (di/dt) に対しても高い堅牢性を保証します。EiceDRIVER™ 2EDF7275Kは、プログラム可能なDTC (デッドタイム制御) と反転SLDOPモードを備えています。すべてのデバイスは、低コストのブートストラップ 回路のハイサイド電源でも動作可能で、コスト競争力のある小型フォームファクタのLGA13パッケージ (5mm×5mm) に搭載しています。
特長
- 正確なタイミングで高速なパワースイッチング
- 面積とシステムBOMを最適化
- 高いスイッチングノイズ耐性
- 出力間絶縁
- 入出力間絶縁
利点
- 効率向上と電力損失の低減
- 小型パッケージでの優れた温度特性
- 保護機能および安全動作
- 柔軟な設定
- 基準に従った安全性
システムの利点
- より高いシステム効率と電力密度の設計が可能
- コストポジション、統合性、量産性の向上
- パワースイッチの安全動作、信頼性の高いPWM通信、異常時のPWM信号チェーンの改善による最終製品の寿命延長
- GND絶縁、ドライバーとMOSFETの近接配置、またはMOSFETのケルビンソース端子の使用によるEMIの低減
- 標準的なDC-DC機器の絶縁要件にすべて対応
- より高いシステム効率と高電力密度設計が可能
推奨アプリケーション例
- テレコム DC/DC
- サーバー
- 産業用SMPS
- UPS（無停電電源装置）
- バッテリー
- EV充電
図
ビデオ
トレーニング
品質
サポート
