2EDS8265H
概要
正確で安定したタイミングを提供する、高速で堅牢な2チャンネル、強化絶縁MOSFETゲートドライバIC
EiceDRIVER™ 2EDS8265Hおよび2EDS8165Hは、スイッチモード電源 (SMPS) に必須の安全絶縁バリアを二次側で制御するための強化絶縁ゲートドライバです。2EDS8265Hの強力な4A/8Aソース/シンク、2チャンネルのゲートドライバは、高速CoolMOS™ および高電力スイッチングノイズ環境での堅牢な動作用に、きわめて高い150V/ns CMTI（コモンモード過渡耐性）を備えています。
温度と出力の変化が小さく、伝播遅延がわずか37nsのため、安全絶縁バリア全体の非常に厳密なタイミング制御の実施により、電力システム設計の効率が向上します。1A/2Aを搭載した2EDS8165Hは、ローカルブーストドライバーで動作する非常に高い電力設計向けに、より小型のMOSFETまたはPWM信号/データデカップリング用に使用できます。これらのデバイスには、UL1577、VDE0884-10、IEC62386、およびIEC60950に準拠した安全証明書が提供されます。2EDFS8xx5Hの製品は、ワイドボディ300ミルDSO16パッケージで提供されます。
特長
製品の特長
- 正確なタイミングで高速スイッチング
- パッケージ面積およびシステムBOMの最適化
- スイッチングノイズに強い
- 出力間チャネル絶縁
- 入出力チャンネル絶縁
利点
製品の利点
- 効率向上と損失低減
- より小型の物理的寸法(フォームファクター)での熱挙動の改善
- 保護と安全な操作
- 柔軟な構成
- 規制安全
システムの利点
- 高いシステム効率と電力密度の設計が可能
- 長期的な競争力のあるコストポジション、高集積、高い量産性
- 通常および異常なフィールド（グリッド）状態での電源スイッチの安全動作を改善し、最終製品を長寿命化
- グランド絶縁、MOSFETへのドライバの近接、または4ピンケルビンソースMOSFETを使用する場合のEMIを低減
- コンポーネント（VDE884-x、UL1577）およびシステム（IEC60950、IEC62386）証明書による簡略化された安全承認
推奨アプリケーション例
- テレコムDC/DC
- サーバー
- 産業用 SMPS
- 無停電電源（UPS）
- バッテリー
- EV充電
- スマートグリッド
図
ビデオ
トレーニング
品質
サポート
