6EDL04N02PR

概要

ブートストラップダイオード、過電流保護、フォルト機能を搭載した200V 三相ゲートドライバーIC

EiceDRIVER™ Compact - MOSトランジスタや180V IGBTなどのパワーデバイス制御用 LS-SOI技術を用いたフルブリッジ3相ゲートドライバIC。

特長

  • 薄膜SOI技術を採用
  • 最大ブロッキング電圧+180V
  • 6つのドライバーすべてに独立した制御回路
  • CMOSおよびLSTTL互換の入力 (負論理)
  • 各相の信号連動で上下短絡防止
  • 過電流・低電圧の検出

利点

Please also find our specially designed Evaluation Boards (EVAL-6EDL04N02PR) for 6EDL04N02PR Gate Driver ICs (EiceDRIVER™ Compact)

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