EiceDRIVER™ 1ED
1200Vのガルバニック絶縁シングルチャネル1EDIおよび1EDC (UL認証)Compactファミリ150ミルおよび300ミルパッケージ
EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300ミルファミリは、UL1577認証に必要な絶縁を実現し、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です。
機能的にガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ 1EDI Compact 150ミルおよび300ミルファミリがご利用可能です。 ワイドボディパッケージのオプションを提供し、8mm沿面距離の延長、熱的挙動の改善、ピンアウトの最適化を実現しています。
このようにガルバニック絶縁されたドライバは、コアレス変圧器(CT)技術に基づいており、100kV/μsの世界クラスの同相過渡電圧耐性（CMTI）を実現しています。ソース/シンク別々の出力ピンに最大10Aの電流駆動力を有するため、ソーラーストリングインバータ、電気自動車用充電ステーション、産業用駆動機器、溶接機器、誘導加熱機器 誘導加熱機器、サーバーおよび通信システム用の電源など、IGBTベースのアプリケーションに適しています。
150ミルおよび300ミルパッケージのゲートドライバIC
1ED Compactファミリは、3つのサブファミリにそれぞれ9種類のバリエーションがあります。
- 1EDx05I12AH/AF、1EDx20I12AH/AF、1EDx40I12AH/AF、および1EDx60I12AH/AFは、別々のソース/シンク出力ピンに0.9Aから10Aまでのゲートドライバの駆動強度を持ち、標準伝搬遅延は300nsです。
- 1EDx20H(N) 12AH/AFおよび1EDx60H(N)12AH/AFは、伝搬遅延がわずか120nsで、高速IGBTおよびSiC MOSFET用途に最適です。
- 内蔵アクティブミラークランプにより、1EDx10I12MH、1EDx20I12MH、1EDx30I12MHの出力電流は、1.7Aから5.2Aまでで、1EDI10I12MF、1EDI20I12MF、1EDI30I12MFは2.2Aから6.2Aです。
- 1EDCファミリは、UL1577認証を取得しており、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です
- 最適化されたピンにより、低インピーダンス電源用のPCB設計が容易になります。
- すべてのドライバは、ハロゲンフリーとRoHS対応のワイドボディパッケージで提供されており、沿面距離は8mmです。
製品の機能
全製品とも、DSO8 150milおよび300milパッケージでご提供しております。 EiceDRIVER™を、CoolMOS™などのSuper-Junction MOSFET、IGBT、CoolSiC™などのシリコンカーバイド（SiC）MOSFET、IGBTモジュールと組み合わせることで、お客様の設計目標を達成します。
| 機能 | アプリケーション |
|---|---|
|
|
ご興味があると思われる情報
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
The EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact family (1ED32xx), with two-level slew-rate control and Miller Clamp
2L-SRC optimizes the gate resistors for EMI measurements and for normal operation, compared with the conventional solution
Up to 18 A output current, 200 kV/µs CMTI, VDE 0884-11 & UL 1577, ideal for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7 in drive, solar, UPS, etc.
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
