EiceDRIVER™ガルバニック絶縁Enhancedシリーズ

概要

最大5.7 kV (rms)、9 Aのガルバニック絶縁1チャネル/2チャネル ゲート ドライバーIC: MOSFET、IGBT、SiC MOSFET向けにDESAT、ミラークランプ、ソフトオフなどの保護機能搭載

EiceDRIVER™ 絶縁ゲートドライバーには、CompactシリーズとEnhancedシリーズがあります。EiceDRIVER™ Enhanced絶縁ドライバーシリーズは5つの製品ファミリーから構成されています。

F3ファミリー (1ED332x) は、DSO-16パッケージに搭載された 8.5 A、1チャネル絶縁ゲートドライバーです。高精度なVCEsat検出 (DESAT)、ソフトオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を搭載しています。F3ファミリーの製品はSiC MOSFETの短絡保護に最適なソリューションです。

X3アナログファミリー (1ED34xx) は、外部抵抗 (ADJA、ADJB端子) により、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ソフトオフ (電流レベル調整可能) の設定できます。

X3デジタル ファミリー (1ED38xx) はI2C通信にて設定できるDESAT (非飽和検出)、ソフトオフ、UVLO (低電圧ロックアウト)、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)、フォルト機能を備え、高い信頼性のシステム設計を簡素化することができます。I2Cインタフェース (SDAおよびSCLピン) を介して入力側から調整します。

1ED34xx と 1ED38xx はいずれも 1 チャンネル絶縁ドライバーで、最大出力電流 9 A、最大出力電圧 40 V、沿面距離 8mm の小型省スペースDSO-16 ファインピッチ ワイドボディ パッケージを使用しています。X3アナログおよびデジタルは、UL1577規格のVISO = 5.7 kV (rms)(t = 1 min.) およびVDE 0884-11 (強化絶縁) VIORM = 1767 Vに準拠しています。

2ED020I12-F2 (2ED-F2) は、DSO-36 パッケージの DESAT 機能付き 2 チャンネル絶縁ゲートドライバーです。

EiceDRIVER™ Enhanced 2ED-FIファミリーです。2ED020I12-FI (2ED-FI) は1200 V、ハーフブリッジの高速MOSFETとIGBTのインターロック付きドライバーです。2ED-FIは、汎用オペアンプ (OPAMP) と汎用コンパレータを搭載しており、過電流保護 (OCP) として使用できます。ハイサイド出力はガルバニック絶縁になっています。650 Vクラスの製品もご用意しています: 2ED020I06-FI

製品
ハイライト

電気的に絶縁されたこれらのドライバーは、最大9 Aの駆動能力を備えており、ブースター ソリューションは時代遅れなものになります。EiceDRIVER™ Enhanced絶縁ゲートドライバーは、IGBTやMOSFETなど従来のスイッチに加えて、炭化ケイ素 (SiC) MOSFETやIGBT7などの最先端技術を用いたアプリケーションに理想的なドライバーです。

特に、ミラークランプのオプションと高精度な短絡保護機能 (DESAT) により、CoolSiC™ SiC MOSFETやTRENCHSTOP™ IGBT7を駆動するのにきわめて有効です。

EiceDRIVER™ Enhancedガルバニック絶縁ドライバーには、インフィニオンのコアレス トランスフォーマー (CT) 技術が使用されており、300 kV/μsという世界最高水準のコモンモード過渡耐性 (CMTI) が実現されています。ソーラー ストリング インバータ、エネルギー貯蔵システム、EV充電、無停電電源 (UPS)、産業用インバータ制御、CAC、産業用ロボット、誘導加熱 (IH) 機器、サーバや通信システム用電源などのアプリケーションに最適です。

1ED332x

F3 ファミリー

1ED34xx / 1ED38xx

X3 アナログ/デジタルファミリー

2ED020I12-F2

F2 ファミリー
  • 入出力間絶縁電圧2300 V
  • 最大6 A (typ.) の出力フルスイング
  • 伝搬遅延 85 ns (35 ns入力フィルタ使用時)
  • 部品間の伝搬遅延マッチング
  • 絶対最大出力電圧40 V
  • 最高CMTI ＞ 300 kV/μs
  • DESAT、ミラークランプ、ソフトオフ
  • 短絡クランプとアクティブシャットダウン
  • 入出力間絶縁電圧2300 V
  • 最大9 A (typ.) の出力フルスイング
  • 絶対最大出力電圧40 V
  • 最高CMTI ＞ 200 kV/μs
  • 調整可能なDESAT、ミラークランプ、ソフトオフ
  • 短絡クランプとアクティブシャットダウン
  • UL1577認証 VISO = 5.7 kV (rms) (t = 1 min) および VDE 0884-11認証 強化絶縁 VIORM = 1767 V
  • きわめて高い絶縁耐量を備えているため、1500 V DCのソーラーインバーターアプリケーションで使用可能です。
  • 入出力間絶縁電圧 1200 V
  • 最大2 A (typ.) の出力フルスイング
  • 絶対最大出力電圧 28 V
  • 最高CMTI >100 kV/μs
  • DESAT、ミラークランプ、ソフトオフ
  • 短絡クランプとアクティブシャットダウン
  • 2ED-F2 は機能絶縁で

 

EiceDRIVER™ 絶縁ゲートドライバー認証

EiceDRIVER Isolated gate driver cerfitcation for EiceDRIVER compact

1) VDE 0884-10規格は2019年12月31日に期限切れ、製品/試験に変更なし

ご興味があると思われる情報

推奨ドキュメント

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トレーニング

EiceDRIVER™ isolated gate driver family overview

Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.

  • EiceDRIVER™絶縁ゲートドライバ ― ファミリーは、最先端のコアレス トランスフォーマー (CT) 絶縁技術を採用
  • CTベースの絶縁型ゲートドライバーは、大電流、低消費電力、優れたCMTI、クラス最高の伝搬遅延マッチングを提供します。
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

視聴はこちらから

SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。

1ED34xx: 1-ch isolated driver with adj. DESAT
  • EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ ファミリー (1ED34xx) 、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ミラークランプ、ソフトオフ (電流レベル調整可能) 搭載
  • 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、伝搬遅延マッチング最大30 ns、出力供給電圧最大40 V
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

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  • EiceDRIVER™ X3デジタル ファミリー (1ED38xx)、DESAT、ソフトオフ、UVLO、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)の I2C設定機能を備えています。
  • 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、30 ns Max. 伝搬遅延マッチング、40 V Max 出力電圧
  • CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

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