ハイサイドおよびローサイドドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用ハイサイドおよびローサイドゲートドライバIC
当社のゲートドライバIC ソリューションは、専門家による選択です。インフィニオンは、高電流 (2.5A) および低電流 (0.7A) オプションを備えた新しい650V ハイサイドおよびローサイドシリコンオンインシュレータ (SOI) ゲートドライバIC を含む、2つの非インターロックチャネルを備えたハイサイドおよびローサイドゲートドライバを提供しています。優れた堅牢性とノイズ耐性を備えたこれらのゲートドライバは、モータードライブ、家電製品、SMPS、バッテリー駆動アプリケーション、および高出力照明に最適です。
ハイサイドおよびローサイドドライバの紹介
インフィニオンの最高級ゲートドライバIC ソリューションは、ハイサイドとローサイドの両方でMOSFET とIGBT を正確に制御するように設計されています。業界の専門家から信頼されているインフィニオンのゲートドライバIC は、比類のない性能と信頼性を提供し、要求の厳しいアプリケーションに最適です。ハイサイドおよびローサイドゲートドライバは、MOSFET およびIGBT を制御するためのパワーエレクトロニクスシステムに不可欠なコンポーネントです。ハイサイドドライバはパワーデバイスの上側スイッチ (ハイサイド) の駆動を担当し、ローサイドドライバは下側スイッチ (ローサイド) を制御します。これらのドライバは、パワーデバイスの正確で同期されたスイッチングを保証し、効率的な電力変換とモーター制御を可能にします。
幅広いアプリケーションに対応するハイサイドおよびローサイド ドライバ
ハイサイドとローサイドのゲートドライバに2つの非インターロックチャネルを提供し、シームレスで同期した動作を保証します。しかし、それだけではありません - 私たちは最新のイノベーションである650 V のハイサイドおよびローサイドシリコンオンインシュレータ (SOI) ゲートドライバIC を紹介できることを誇りに思います。これらのゲートドライバは、高電流 (2.5A) と低電流 (0.7A) の両方のオプションを備えており、優れた汎用性と性能を提供します。優れた堅牢性とノイズ耐性を特長とするインフィニオンのゲートドライバは、モータドライブ、家電製品、スイッチモード電源(SMPS)、バッテリー駆動機器、高電力照明システムなど、幅広いアプリケーションに最適です。当社のゲートドライバを使用すると、正確な制御、効率的な動作、信頼性の高いパフォーマンスを実現し、あらゆる環境で優れたアプリケーションを実現できます。
安全で効率的な運用を保証する優れた機能
インフィニオンのゲートドライバIC は、シュートスルー保護、高電流および低電流オプション、優れた堅牢性などの優れた機能を備えています。優れたノイズ耐性を備えたこれらのゲートドライバは、重要なアプリケーションに対して信頼性の高い最適化された性能を保証します。ハイサイドおよびローサイドのゲートドライバを組み合わせることで、パワーデバイスの安全で効率的な動作を保証するために必要な制御および保護機能を提供します。これらは、モータドライブ、電源、インバーターなど、幅広いアプリケーションで重要な役割を果たし、パワーエレクトロニクスシステムの正確なスイッチングと制御を可能にします。専門家の選択を信頼する – 当社のゲートドライバICを選択して、設計を新たな卓越性へと導きます。
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます:お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ(SOI)および接合分離(JI)テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット:内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。