ハイサイドゲートドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用シングルチャネルおよびデュアル チャネル ハイサイド ゲートドライバーIC
EiceDRIVER™ ハイサイドゲートドライバIC には、絶縁型ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバオプション、および真の差動制御入力によりハイサイドドライバとして使用できる非絶縁型ゲートドライバファミリが含まれています。インフィニオンは、1チャネルおよび2チャネルのガルバニック絶縁ゲートドライバIC を提供しています。DESAT やアクティブミラークランプなどの高度な保護機能を備えているものもあれば、UL およびVDE 認証を取得しているものもあります。
ハイサイドゲートドライバのご紹介
OptiMOS™パワーMOSFET、CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET、CoolSiC™ MOSFET、およびCoolGaN™ HEMTの駆動に最適な複数のUVLO 閾値オプションが提供されています。また、降圧トポロジーに最適な過電流保護を備えた1チャネルレベルシフト ハイサイドゲートドライバIC も提供しています。車載認定済みのハイサイドゲートドライバIC もあります。非絶縁型TDIゲートドライバファミリは、一部の昇降圧回路、バッテリ駆動モーター駆動アプリケーション、ハーフブリッジまたはフルブリッジ同期整流ユニットの場合のように、ハイサイド電圧100V 以下の場合に魅力的な選択肢となります。
ハイサイドゲートドライバ製品ポートフォリオ
インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびワイドバンドギャップパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁ゲートドライバ、車載認定ゲートドライバ、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバ、および非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
ハイサイドゲートドライバに関する詳細情報
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、およびパッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライブ構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュールであろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。
Did you know statistics show that the rise in population and economy will drive energy demand to increase by 58% by 2040?
Also, the current climate concerns and geopolitical instability make it even more attractive than ever to generate green, sustainable, and efficient energy, right from home!
Photovoltaic technology, for example, provides a new level of energy independence. Like few other energy sources, solar is accessible directly by consumers and communities, allowing them to build small, independent power grids for personal or collective use.
It is here that Infineon can assist our customers by providing the best-in-class solutions for each application!
As mentioned in the first part, beside social and economic reasons, climate concerns and geopolitical instability make the possibility of generating green, sustainable, and efficient energy right from home very attractive and desirable, and photovoltaic technology provides that level of energy independence.
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このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。
- EiceDRIVER™ Enhanced now include 1ED34XX (X3 Analog), with DESAT(adjustable filter time), soft-off(adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.