三相ドライバ
三相トポロジにおいてMOSFETまたはIGBTなどのパワーデバイス制御用ゲートドライバIC
専門家は、インフィニオンのゲートドライバICソリューションを選択します。インフィニオンは、1つのパッケージに6チャネルがあって3つの独立したハーフブリッジとして構成されている、三相ゲートドライバを提供しています。インフィニオンの高度なシリコンオンインシュレータ（SOI）テクノロジーによる三相ゲートドライバも提供しています。これらのゲートドライバは、優れた堅牢性とノイズ耐性を備えており、モータドライブ、家電、バッテリ駆動アプリケーションに最適です。
車載適合の三相ゲートドライバICも提供しています。
三相ドライバの概要
インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバ、車載認定ゲートドライバ、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバ、および非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、およびパッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライバ構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュール内であろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。
三相ドライバーの詳細
インフィニオンの最先端の三相ゲートドライバIC ソリューションは、MOSFET やIGBT などのパワーデバイスを駆動するための究極の選択肢です。インフィニオンのゲートドライバIC の中心には、革新的なシリコンオンインシュレータ (SOI) 技術があり、卓越した堅牢性とノイズ耐性を提供するために細心の注意を払って作られています。当社のゲートドライバーは、最も困難な環境でも最適に動作し、比類のない信頼性と効率を提供します。
三相ドライバに関する追加情報
インフィニオンは、ゲートドライバIC の包括的なポートフォリオを提供しています。当社のゲートドライバは、お客様固有のアプリケーション要件に容易に適応するように設計されています。インフィニオンのゲートドライバIC は、200 V、500-700 V、および1200 Vを含む複数の電圧クラスの製品を展開しており、電力ニーズに合わせて完璧なソリューションをカスタマイズできます。当社の専門家チームは、シリコンおよびWBGパワーデバイス用のゲート駆動回路を完成させるために数十年を費やしてきました。その結果、インフィニオンのゲートドライバIC は、これらの高度なスイッチファミリーの可能性を最大限に引き出し、パワーエレクトロニクスから最大の効率と性能を引き出すことができます。
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
