トランス ドライバーIC MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT向けEiceDRIVER™ トランスドライバーIC
Infineon now features the EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR family, a full-bridge transformer driver IC that provides a simple power-supply alternative to generate an asymmetric output voltage to supply isolated gate drivers. The IC features a unique duty-cycle adjustment capability, integrated temperature, short-circuit, and UVLO protections, and frequency adjustment options, all of which contribute to highly efficient, customizable, and flexible design possibilities aimed at reducing system costs and enhancing reliability.
Power electronics applications employ power device switches. And power device switches require optimum gate drive solutions utilizing efficent power supplies. That’s why we offer new EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR transformer driver IC solutions suitable for any isolated gate driver power switch, and any application. Designed to optimally supply gate drivers for various switches, it supports TRENCHSTOP™ IGBTs, OptiMOS™ MOSFETs, CoolMOS™ superjunction MOSFETs, CoolGaN™ high electron mobility transistors, and CoolSiC™ MOSFETs, working seamlessly with EiceDRIVER™ gate driver ICs and other similar products.
- EiceDRIVER™トランス ドライバー
- 開ループ絶縁電源
- SiC MOSFETおよびIGBTに最適
- 調整可能な短絡保護
- 過熱保護
- 集積パワーステージ (IPS)
- 調整可能なデューティサイクルおよび周波数
- プラグアンドプレイ ソリューション
インフィニオンの数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発は、MOSFET、IGBTディスクリートおよびモジュール、SiC MOSFETディスクリートおよびモジュール、GaN HEMTなど、シリコンおよびワイドバンドギャップ パワーデバイスで使用するゲートドライバーICの包括的なポートフォリオを生み出してきました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー、車載適合のゲートドライバー、500～1200 Vレベルシフトゲートドライバー、非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションにわたります。最新のディスクリート スイッチ ファミリーの性能や機能を完全に活用するには、ゲートドライバー回路の調整が必要です。ディスクリートでも、パワーモジュールでも、あらゆるパワースイッチには、最適なゲートドライブ構成が不可欠です。
インフィニオンのEiceDRIVER™トランス ドライバーは、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、ショットキーなど、さまざまなスイッチ技術に電力供給する絶縁ゲートドライバー用電源を実現します。こうしたソリューションには、統合パワーステージ、調整可能デューティサイクル、調整可能な周波数、過電流保護、過熱保護、ready出力表示、小型パッケージなど、高度な機能があります。
自動車、産業用モーター制御、ソーラーインバーター、EV充電、ロボティクス、無停電電源装置 (UPS)、サーバーおよび通信機器の電源、小型および大型の家庭用電化製品、バッテリー駆動のアプリケーション、高電圧照明などの市場における数百もの最終アプリケーションに、最適なソリューションをご利用いただけます。
本ウェビナーでは、共通の強みを持つゲート ドライバーICのポートフォリオをご紹介します。
本ビデオでは、アプリケーションに応じて調整されたインフィニオンのゲートドライバーソリューションが、車載、大型家電、産業用モーター制御、太陽光発電インバーター、UPS、スイッチング電源、高電圧照明など多くのアプリケーションに適している理由を説明します。
インフィニオンのゲートドライについて、詳細をご覧ください。紹介ビデオをご覧いただき、インフィニオンの製品ラインアップについての知識を深めてください。
すべてのスイッチにはドライバーが必要であり、正しいドライバーの選択により違いを生み出すことができます。
インフィニオンは、EiceDRIVER™ CompactやEiceDRIVER™ Enhancedなど、異なる絶縁型ゲートドライバファミリーを提供しています。各ファミリーには、スイッチとアプリケーションの保護用に異なる機能を備えています。
EiceDRIVER™ 絶縁型ゲートドライバーは、スイッチとアプリケーション保護用に、強化絶縁、ミラー クランプ、スルー レート制御、短絡保護などの高度な機能を提供します。また、状態監視と短時間でのプロトタイプ作成が可能です。
EiceDRIVER™はインフィニオンのCoolSiC™
およびIGBTスイッチと組み合わせることで、さらに産業用アプリケーションに最適になります。
炭化ケイ素製 (SiC) MOSFETは、パワーエレクトロニクスに多くの可能性をもたらしています。しかし、SiC MOSFETを適切なゲートドライバーと組み合わせて使用すると、どのようなシステムメリットが十分に得られるのでしょうか。本トレーニングでは、SiC MOSFETの基準ゲート抵抗値の計算方法、ピーク電流と電力損失の要件に基づく適切なゲート駆動用ICの特定方法、およびワーストケース条件に基づくラボ環境でのゲート抵抗値の微調整方法を学習していただけます。
このトレーニングでは、適切なゲートドライバの選択方法、産業用ドライブの要件、当社の製品、ゲートドライバ回路の寸法についての情報を提供します。
このトレーニングでは、IGBTアプリケーションのゲート抵抗値の計算方法、ピーク電流と電力損失の要件に基づく適切なゲートドライバーICの特定方法、およびワーストケース条件に基づくラボ環境でのゲート抵抗値の微調整方法について学習します。
ウェビナーでは、ハイパワーおよびローパワー アプリケーションにおけるシリコンとSiC、GaNパワーデバイスの技術的な位置づけについてご紹介します。
