CoolSiC™ Hybrid IGBT ディスクリート
スイッチング損失の大幅低減を実現するコスト効果の高いパワースイッチ
IGBTとSiCショットキー バリアダイオードを還流ダイオードとして使うことにより、従来のIGBTディスクリート製品と比べ、Eonやスイッチング損失を大幅に低減できます。
650V TRENCHSTOP™5 IGBTデザインは、時間をかけず簡単にHybrid CoolSiC™ IGBTにアップグレードすることができ、効率がスイッチング周波数10kHzごとに0.1%向上します。ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージのCoolSiC™ハイブリッド ディスクリートを使用することで、スイッチング損失はさらに低減し、効率が向上します。
新しい650V Hybrid CoolSiC™ IGBTは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™5 IGBT技術と、ショットキーバリアCoolSiC™ダイオードのユニポーラ構造が持つ主な利点を併せ持つ製品です。
| 特長 | 強み | 利点 |
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ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージ
ケルビン接続端子を備えたTO-247の4ピンパッケージにより整流を高速化し、IGBTのスイッチング動作を改善しました。また、標準的なTO-247パッケージと比べ、ダイナミックロスを20%低減しているため、システム全体の効率が向上し、IGBTの低温動作が可能になります。
IGBTのスイッチング速度が高速化するほど、TO-247 4ピンによるメリットは大きくなります。
In this training, we will show you step by step where and how to access Infineon SPICE and PLECS simulation models for its discrete IGBTs and CoolSiC™ products.
We will also show how to use these models and tools in an offline and online simulation.
In this training, we will show you step by step where and how to access Infineon PLECS simulation models for its discrete IGBTs and CoolSiC™ products as well as online simulation tools.
We will also show you the differences between hard and soft switching models.
