CoolSiC™ ハイブリッドモジュール

概要

シリコンカーバイド（SiC）ダイオードとトランジスタは、高出力密度と高効率を目指す近代的で革新的なパワーエレクトロニクスソリューションのキーコンポーネントです。

高出力密度と高効率は、チップをスタンドアロンコンポーネントとして使用することによって、またはパワーモジュール内のシリコンパワーデバイスと組み合わせて使用して達成することができます。特にSiCダイオードは、IGBT技術の能力をさらに拡大することを可能にします。

蓄積された電荷がないため、主に最新のIGBTのターンオン損失を大幅に低減することができ、対応する純粋なシリコンベースのソリューションに比べてより高いスイッチング周波数および/またはより高い電流処理能力が可能になります。以下では、IGBTと組み合わせてSiCダイオードを実装したパワーモジュールを紹介します。ターゲットアプリケーションで最高の性能を発揮する理想的なペアを形成するために特別な注意が払われています。

製品

ハイライト

CoolSiC™ hybrid modules have been developed to meet application specific requirements for example in Solar, Energy Storage systems, EV Charging and many more applications.

SiCコンポーネントを備えたパワーモジュールの数は、現在のCoolSiC™テクノロジに基づいて、SiCダイオードとシリコントランジスタまたはSiCベースのトランジスタの組み合わせを使用して、さらに追加して段階的に補完されます。

アプリケーションのパワーにかかわらず、当社のパワーモジュールSiCポートフォリオは、EasyPACK™1B / 2BなどのパッケージからEasyPACK™ 3Bなどのより大きなパッケージまで、より効率的な設計を可能にします。